分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 共2275条产品


 
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)

 
晶体管类型

 
功率 - 最大值

 
安装类型

 
零件状态

 
基本零件编号

 
电流 - 集电极(Ic)(最大值)

 
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)

 
封装/外壳

 
电压 - 集射极击穿(最大值)

 
频率 - 跃迁

 
电阻器 - 基底(R1)

 
电流 - 集电极截止(最大值)

 
电阻器 - 发射极基底(R2)

 
包装

 
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不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):x
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不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):x
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电压 - 集射极击穿(最大值):x
频率 - 跃迁:x
电阻器 - 基底(R1):x
电流 - 集电极截止(最大值):x
电阻器 - 发射极基底(R2):x
包装:x
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序号 图片 型号 制造商 环保 描述
1 PUMD48,125 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 6-TSSOP
2 PUMD48,115 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 6-TSSOP
3 PUMD48,115 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 6-TSSOP
4 PUMD48,165 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 6-TSSOP
5 PUMD48,115 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 6-TSSOP
6 PUMD48,165 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 6-TSSOP
7 RN2603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA 200MHz 300mW 表面贴装 SM6
8 RN2603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA 200MHz 300mW 表面贴装 SM6
9 RN2603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA 200MHz 300mW 表面贴装 SM6
10 RN2701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) 50V 100mA 200MHz 100mW 表面贴装 ESV
11 RN2701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) 50V 100mA 200MHz 100mW 表面贴装 ESV
12 RN2701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) 50V 100mA 200MHz 100mW 表面贴装 ESV
13 DDA122TU-7-F Diodes Incorporated Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA 200MHz 200mW 表面贴装 SOT-363
14 DCX142JH-7 Diodes Incorporated Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 200MHz 150mW 表面贴装 SOT-563
15 UMD3NTR Rohm Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装 UMT6
16 UMD3NTR Rohm Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装 UMT6
17 UMD3NTR Rohm Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装 UMT6
18 PUMD48,165 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 6-TSSOP
19 PEMH7,115 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 SOT-666
20 PQMH10Z Nexperia USA Inc. Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 230MHz 350mW 表面贴装 DFN1010B-6

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