分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 共4400条产品


 
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)

 
包装

 
安装类型

 
电压 - 集射极击穿(最大值)

 
电流 - 集电极(Ic)(最大值)

 
基本零件编号

 
电阻器 - 基底(R1)

 
频率 - 跃迁

 
封装/外壳

 
晶体管类型

 
零件状态

 
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)

 
功率 - 最大值

 
电阻器 - 发射极基底(R2)

 
供应商器件封装

 
电流 - 集电极截止(最大值)

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不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):x
包装:x
安装类型:x
电压 - 集射极击穿(最大值):x
电流 - 集电极(Ic)(最大值):x
基本零件编号:x
电阻器 - 基底(R1):x
频率 - 跃迁:x
封装/外壳:x
晶体管类型:x
零件状态:x
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):x
功率 - 最大值:x
电阻器 - 发射极基底(R2):x
供应商器件封装:x
电流 - 集电极截止(最大值):x
序号 图片 型号 制造商 环保 描述
1 DDTC113ZCA-7-F Diodes Incorporated Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装 SOT-23-3
2 DDTC113ZCA-7-F Diodes Incorporated Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装 SOT-23-3
3 DDTC113ZCA-7-F Diodes Incorporated Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装 SOT-23-3
4 DTC143EMT2L Rohm Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装 VMT3
5 DTC143EMT2L Rohm Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装 VMT3
6 DTC143EMT2L Rohm Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装 VMT3
7 DDTC143XKA-7-F Diodes Incorporated Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装 SC-59-3
8 DTC123YETL Rohm Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装 EMT3
9 DTC123YETL Rohm Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装 EMT3
10 DTC123YETL Rohm Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装 EMT3
11 PDTC143ZU,115 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 200mW 表面贴装 SC-70
12 PDTC143TT,215 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250mW 表面贴装 TO-236AB
13 PDTC143TT,215 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250mW 表面贴装 TO-236AB
14 PDTC143ZU,115 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 200mW 表面贴装 SC-70
15 PDTC143ZU,115 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 200mW 表面贴装 SC-70
16 PDTC143TT,215 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250mW 表面贴装 TO-236AB
17 DTD123YKT146 Rohm Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 500mA 200MHz 200mW 表面贴装 SMT3
18 DTD123YKT146 Rohm Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 500mA 200MHz 200mW 表面贴装 SMT3
19 DTD123YKT146 Rohm Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 500mA 200MHz 200mW 表面贴装 SMT3
20 DDTC113ZUA-7-F Diodes Incorporated Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装 SOT-323

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