分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 共6294条产品


 
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

 
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FET 功能

 
功率 - 最大值

 
安装类型

 
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

 
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序号 图片 型号 制造商 环保 描述
1 DMN3024LSD-13 Diodes Incorporated Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 6.8A 1.8W 表面贴装 8-SO
2 DMN3024LSD-13 Diodes Incorporated Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 6.8A 1.8W 表面贴装 8-SO
3 DMN3024LSD-13 Diodes Incorporated Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 6.8A 1.8W 表面贴装 8-SO
4 QS6J1TR Rohm Semiconductor Y 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 1.5A 1.25W 表面贴装 TSMT6(SC-95)
5 QS6J1TR Rohm Semiconductor Y 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 1.5A 1.25W 表面贴装 TSMT6(SC-95)
6 QS6J1TR Rohm Semiconductor Y 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 1.5A 1.25W 表面贴装 TSMT6(SC-95)
7 FDW9926A ON Semiconductor 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 4.5A 600mW 表面贴装 8-TSSOP
8 IRFH4251DTRPBF Infineon Technologies 2 个 N 通道(双),肖特基 Mosfet 阵列 25V 64A,188A 31W,63W 表面贴装 PQFN(5x6)
9 IRFH4251DTRPBF Infineon Technologies 2 个 N 通道(双),肖特基 Mosfet 阵列 25V 64A,188A 31W,63W 表面贴装 PQFN(5x6)
10 IRFHM8363TR2PBF Infineon Technologies Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 11A 2.7W 表面贴装 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
11 IRFHM8363TR2PBF Infineon Technologies Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 11A 2.7W 表面贴装 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
12 NTZD3154NT1G ON Semiconductor Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 540mA 250mW 表面贴装 SOT-563
13 DN2625DK6-G Microchip Technology Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 250V 1.1A 表面贴装 8-DFN(5x5)
14 NTMD6N02R2 ON Semiconductor 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 3.92A 730mW 表面贴装 8-SOIC
15 暂无 DMN5L06VK-7-G Diodes Incorporated Y Mosfet 阵列
16 NTJD4158CT1G ON Semiconductor Y N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V,20V 250mA,880mA 270mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363
17 NTJD4152PT1G ON Semiconductor Y 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 880mA 272mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363
18 NTJD4158CT1G ON Semiconductor Y N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V,20V 250mA,880mA 270mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363
19 NTJD4152PT1G ON Semiconductor Y 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 880mA 272mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363
20 NTJD4152PT1G ON Semiconductor Y 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 880mA 272mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363

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