分立半导体产品 > 晶体管 - JFET 共1075条产品


 
电阻 - RDS(开)

 
工作温度

 
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)

 
供应商器件封装

 
漏极电流(Id) - 最大值

 
包装

 
安装类型

 
基本零件编号

 
FET 类型

 
封装/外壳

 
漏源电压(Vdss)

 
零件状态

 
通知

 
电压 - 击穿(V(BR)GSS)

 
功率 - 最大值

 
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)

 
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

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电压 - 击穿(V(BR)GSS):x
功率 - 最大值:x
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):x
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序号 图片 型号 制造商 环保 描述
1 MMBF5484LT1G ON Semiconductor Y JFET N 沟道 25V 225mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)
2 MMBF5484LT1G ON Semiconductor Y JFET N 沟道 25V 225mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)
3 MMBF5484LT1G ON Semiconductor Y JFET N 沟道 25V 225mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)
4 MMBFJ112 ON Semiconductor Y JFET N 沟道 35V 350mW 表面贴装 SOT-23-3
5 MMBFJ112 ON Semiconductor Y JFET N 沟道 35V 350mW 表面贴装 SOT-23-3
6 MMBFJ112 ON Semiconductor Y JFET N 沟道 35V 350mW 表面贴装 SOT-23-3
7 PMBFJ112,215 NXP USA Inc. Y JFET N 沟道 40V 300mW 表面贴装 SOT-23(TO-236AB)
8 PMBFJ112,215 NXP USA Inc. Y JFET N 沟道 40V 300mW 表面贴装 SOT-23(TO-236AB)
9 PMBFJ112,215 NXP USA Inc. Y JFET N 沟道 40V 300mW 表面贴装 SOT-23(TO-236AB)
10 2SK3320-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage JFET N 沟道 200mW 表面贴装 USV
11 2SK3320-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage JFET N 沟道 200mW 表面贴装 USV
12 暂无 2N4391-E3 Vishay Siliconix Y JFET N 沟道 40V 1.8W 通孔 TO-206AA(TO-18)
13 暂无 2N4391 Microsemi Corporation JFET N 沟道 40V 1.8W
14 暂无 2N4391 Central Semiconductor Corp Y JFET N 沟道 40V 100pA 1.8W 通孔 TO-18
15 暂无 2N4393-E3 Vishay Siliconix JFET N 沟道 40V 1.8W 通孔 TO-206AA(TO-18)
16 暂无 2N4391 Vishay Siliconix JFET N 沟道 40V 1.8W 通孔 TO-206AA(TO-18)
17 暂无 2N4391-2 Vishay Siliconix JFET N 沟道 40V 1.8W 通孔 TO-206AA(TO-18)
18 暂无 2N4391-E3 Vishay Siliconix JFET N 沟道 40V 1.8W 通孔 TO-206AA(TO-18)
19 MMBF5460 ON Semiconductor Y JFET P 沟道 40V 225mW 表面贴装 SOT-23-3
20 MMBF5460LT1G ON Semiconductor Y JFET P 沟道 40V 225mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)

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