分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 共3022条产品


 
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25°C 时 Td(开/关)值

 
IGBT 类型

 
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

 
开关能量

 
安装类型

 
电压 - 集射极击穿(最大值)

 
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基本零件编号

 
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功率 - 最大值

 
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栅极电荷

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封装/外壳:x
供应商器件封装:x
零件状态:x
测试条件:x
脉冲电流 - 集电极 (Icm):x
功率 - 最大值:x
反向恢复时间(trr):x
栅极电荷:x
序号 图片 型号 制造商 环保 描述
1 DGTD65T15H2TF Diodes Incorporated Y IGBT 场截止 650V 30A 48W 通孔 ITO-220AB
2 RGT80TS65DGC11 Rohm Semiconductor Y IGBT 沟槽型场截止 650V 70A 234W 通孔 TO-247N
3 IXXH150N60C3 IXYS Y IGBT PT 600V 300A 1360W 通孔 TO-247AD
4 FGB40T65SPD-F085 ON Semiconductor IGBT 沟槽型场截止 650V 80A 267W 表面贴装 TO-263AB(D²PAK)
5 FGB40T65SPD-F085 ON Semiconductor IGBT 沟槽型场截止 650V 80A 267W 表面贴装 TO-263AB(D²PAK)
6 FGB40T65SPD-F085 ON Semiconductor IGBT 沟槽型场截止 650V 80A 267W 表面贴装 TO-263AB(D²PAK)
7 IKQ50N120CT2XKSA1 Infineon Technologies Y IGBT 沟槽型场截止 1200V 100A 652W 通孔 PG-TO247-3-46
8 IXGH6N170A IXYS Y IGBT NPT 1700V 6A 75W 通孔 TO-247AD(IXGH)
9 IGW100N60H3FKSA1 Infineon Technologies Y IGBT 沟槽型场截止 600V 140A 714W 通孔 PG-TO247-3
10 SGW15N60FKSA1 Infineon Technologies Y IGBT NPT 600V 31A 139W 通孔 PG-TO247-3
11 NGTB75N60FL2WG ON Semiconductor Y IGBT 沟槽型场截止 600V 100A 595W 通孔 TO-247
12 SKW15N60FKSA1 Infineon Technologies Y IGBT NPT 600V 31A 139W 通孔 PG-TO247-3
13 NGTB35N60FL2WG ON Semiconductor Y IGBT 沟槽型场截止 600V 70A 300W 通孔 TO-247
14 IHW20N135R3FKSA1 Infineon Technologies Y IGBT 沟道 1350V 40A 310W 通孔 PG-TO247-3
15 FGA25N120ANTU ON Semiconductor IGBT NPT 1200V 40A 310W 通孔 TO-3P
16 FGA25N120ANDTU ON Semiconductor IGBT NPT 1200V 40A 310W 通孔 TO-3P
17 FGA25N120FTD ON Semiconductor IGBT 沟槽型场截止 1200V 50A 313W 通孔 TO-3P
18 IXYH100N65C3 IXYS Y IGBT PT 650V 200A 830W 通孔 TO-247(IXYH)
19 FGAF20N60SMD ON Semiconductor Y IGBT 场截止 600V 40A 75W 通孔 TO-3PF
20 STGB30V60F STMicroelectronics Y IGBT 沟槽型场截止 600V 60A 260W 表面贴装 D2PAK

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