分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 共3611条产品


 
工作温度

 
25°C 时 Td(开/关)值

 
IGBT 类型

 
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

 
开关能量

 
安装类型

 
电压 - 集射极击穿(最大值)

 
电流 - 集电极(Ic)(最大值)

 
基本零件编号

 
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供应商器件封装

 
零件状态

 
测试条件

 
脉冲电流 - 集电极 (Icm)

 
功率 - 最大值

 
反向恢复时间(trr)

 
栅极电荷

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不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):x
开关能量:x
安装类型:x
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电流 - 集电极(Ic)(最大值):x
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输入类型:x
包装:x
封装/外壳:x
供应商器件封装:x
零件状态:x
测试条件:x
脉冲电流 - 集电极 (Icm):x
功率 - 最大值:x
反向恢复时间(trr):x
栅极电荷:x
序号 图片 型号 制造商 环保 描述
1 STGD3NB60SDT4 STMicroelectronics Y IGBT 600V 6A 48W 表面贴装 DPAK
2 STGD3NB60SDT4 STMicroelectronics Y IGBT 600V 6A 48W 表面贴装 DPAK
3 STGD3NB60SDT4 STMicroelectronics Y IGBT 600V 6A 48W 表面贴装 DPAK
4 NGTB20N120IHLWG ON Semiconductor Y IGBT 1200V 40A 192W 通孔 TO-247
5 IRG4PSC71UDPBF Infineon Technologies Y IGBT 600V 85A 350W 通孔 SUPER-247™(TO-274AA)
6 IRGB14C40LPBF Infineon Technologies Y IGBT 430V 20A 125W 通孔 TO-220AB
7 FGA180N30DTU ON Semiconductor IGBT 300V 180A 480W 通孔 TO-3P
8 HGTG11N120CN ON Semiconductor Y IGBT NPT 1200V 43A 298W 通孔 TO-247-3
9 RGTH00TS65GC11 Rohm Semiconductor Y IGBT 沟槽型场截止 650V 85A 277W 通孔 TO-247N
10 STGF10NC60KD STMicroelectronics Y IGBT 600V 9A 25W 通孔 TO-220FP
11 AOK20B120E1 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Y IGBT 1200V 40A 333W 通孔 TO-247
12 IKP40N65F5XKSA1 Infineon Technologies Y IGBT 650V 74A 255W 通孔 PG-TO220-3
13 APT75GN60LDQ3G Microsemi Corporation Y IGBT 沟槽型场截止 600V 155A 536W 通孔 TO-264 [L]
14 STGD3HF60HDT4 STMicroelectronics Y IGBT 600V 7.5A 38W 表面贴装 DPAK
15 STGD3HF60HDT4 STMicroelectronics Y IGBT 600V 7.5A 38W 表面贴装 DPAK
16 STGD3HF60HDT4 STMicroelectronics Y IGBT 600V 7.5A 38W 表面贴装 DPAK
17 IGW60N60H3FKSA1 Infineon Technologies Y IGBT 沟道 600V 80A 416W 通孔 PG-TO247-3
18 IXYL60N450 IXYS Y IGBT 4500V 90A 417W 通孔 ISOPLUSi5-Pak™
19 IXBX25N250 IXYS Y IGBT 2500V 55A 300W 通孔 PLUS247™-3
20 IXGK72N60B3H1 IXYS Y IGBT PT 600V 75A 540W 通孔 TO-264(IXGK)

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