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Datasheet下载- 型号： ZXTP25100CZTA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTP25100CZTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTP25100CZTA价格参考。Diodes Inc.ZXTP25100CZTA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 100V 1A 180MHz 2.4W 表面贴装 SOT-89-3。您可以下载ZXTP25100CZTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXTP25100CZTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXTP25100CZTA是一款NPN型双极晶体管（BJT），广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高效开关和放大功能的场景下。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 ZXTP25100CZTA常用于电源管理电路中，作为开关元件或电流放大器。它可以有效地控制电源的通断，确保电路在不同工作模式下的稳定性和效率。例如，在线性稳压器、DC-DC转换器等电源系统中，该晶体管可以用来调节输出电压和电流。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，如步进电机、直流电机等，ZXTP25100CZTA可以用作驱动晶体管。它能够承受较高的电流和电压波动，确保电机启动、运行和停止时的平稳性和可靠性。此外，它还可以用于电机的速度控制和方向切换。 3. 信号放大 该晶体管具有良好的增益特性，适用于音频放大器、射频放大器等信号放大的场合。通过适当的偏置电路设计，ZXTP25100CZTA可以实现对微弱信号的有效放大，同时保持较低的噪声水平，确保信号的清晰度和稳定性。 4. 负载开关 在负载开关应用中，ZXTP25100CZTA可以用作电流控制元件，控制负载电路的通断。它能够在短时间内快速响应，确保负载设备的安全启动和关闭。例如，在LED照明系统中，该晶体管可以用来控制LED灯的亮度和开关状态。 5. 保护电路 ZXTP25100CZTA还可以用于过流保护、短路保护等安全电路中。当检测到异常电流时，晶体管可以迅速切断电路，防止损坏其他敏感元件。这种保护机制在电池管理系统、充电器等设备中尤为重要。 6. 通信设备 在通信设备中，如调制解调器、无线发射器等，ZXTP25100CZTA可以用于信号的调制和解调，帮助实现数据的高效传输。其低功耗和高可靠性的特点使其成为通信模块中的理想选择。 综上所述，ZXTP25100CZTA凭借其优异的性能和广泛的适用性，成为了许多电子设备中不可或缺的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 100V SOT89两极晶体管 - BJT PNP 100V 1A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTP25100CZTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXTP25100CZTA |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 225mV @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 10mA，2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | ZXTP25100CZDKR |
| 功率-最大值 | 2.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 180 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 4460 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 10 mA at 2 V, 180 at 100 mA at 2 V, 110 at 500 mA at 2 V, 20 at 1 A at 2 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 115 V |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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