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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PNP HI GAIN 20V SOT223两极晶体管 - BJT PNP 20V HIGH GAIN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTP25020DGTA- |
数据手册 | |
产品型号 | ZXTP25020DGTA |
PCN其它 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 355mV @ 600mA,6A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 300 @ 10mA,2V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | ZXTP25020DGCT |
功率-最大值 | 3W |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 7 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 290 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 5300 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 6 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 6A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 300 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 at 10 mA at 2 V, 200 at 1 A at 2 V, 25 at 6 A at 2 V |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
集电极—基极电压VCBO | 25 V |
频率-跃迁 | 290MHz |