ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > ZXTP2014ZTA
Datasheet下载- 型号： ZXTP2014ZTA
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTP2014ZTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTP2014ZTA价格参考￥4.03-￥5.53。Diodes Inc.ZXTP2014ZTA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 140V 3A 120MHz 2.1W 表面贴装 SOT-89-3。您可以下载ZXTP2014ZTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXTP2014ZTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXTP2014ZTA是一款NPN型双极晶体管（BJT），主要用于低电压和低电流的应用场景。该器件具有低饱和电压（Vce(sat)）和高电流增益（hFE），使其在各种电路中表现出色，特别是在要求高效能和低功耗的场合。 应用场景： 1. 电源管理： - ZXTP2014ZTA常用于低压差线性稳压器（LDO）和DC-DC转换器中，作为开关或驱动元件。其低饱和电压特性有助于提高电源效率，减少能量损耗。 2. 信号放大与处理： - 该晶体管适用于音频放大器、传感器信号调理等应用。其高电流增益确保了信号的稳定传输和放大，同时保持较低的噪声水平。 3. 逻辑电平转换： - 在不同逻辑电平之间进行转换时，ZXTP2014ZTA可以作为电平移位器，将低电平信号转换为适合后续电路处理的高电平信号。 4. 负载驱动： - 该晶体管可用于驱动小型电机、LED灯、继电器等负载。其低饱和电压特性使得在驱动负载时能够减少发热，延长器件寿命。 5. 保护电路： - ZXTP2014ZTA可应用于过流保护、短路保护等电路中，作为开关元件快速响应异常情况，保护系统免受损坏。 6. 通信设备： - 在无线通信模块、调制解调器等设备中，该晶体管可用于信号放大和调制，确保信号的完整性和可靠性。 7. 消费电子： - 诸如智能手机、平板电脑、智能手表等便携式设备中，ZXTP2014ZTA可用于电源管理、按键检测、背光控制等功能，以实现高效能和小尺寸设计。 总之，ZXTP2014ZTA凭借其优异的电气性能和紧凑的封装形式，广泛应用于各类低功耗、高效能的电子产品中，特别适合对空间和能耗有严格要求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP HI VOLT 140V SOT89两极晶体管 - BJT 140V PNP Low Sat |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTP2014ZTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXTP2014ZTA |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 330mV @ 300mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1A，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | ZXTP2014ZDKR |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 120 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 2100 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 140V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 100 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 at 10 mA at 5 V, 100 at 1 A at 5 V, 45 at 3 A at 5 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 140 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 180 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 255 mV |
| 集电极连续电流 | - 3 A |
| 频率-跃迁 | 120MHz |
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