ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > ZXTN5551GTA
Datasheet下载- 型号： ZXTN5551GTA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTN5551GTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTN5551GTA价格参考。Diodes Inc.ZXTN5551GTA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 160V 600mA 130MHz 2W 表面贴装 SOT-223。您可以下载ZXTN5551GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXTN5551GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXTN5551GTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 信号放大 ZXTN5551GTA 可用于音频、射频和其他低功率信号的放大电路中。其出色的增益性能和宽频率范围使其适合于需要高保真度的信号处理场合，例如： - 音频设备中的前置放大器 - 无线通信模块中的信号增强 2. 开关应用 作为一款高性能的 NPN 晶体管，ZXTN5551GTA 也可用作电子开关，广泛应用于数字电路和控制电路中，例如： - LED 驱动 - 继电器控制 - 小功率电机驱动 3. 电源管理 在电源管理系统中，ZXTN5551GTA 可用于电流调节或电压调节电路，例如： - 线性稳压器中的调整元件 - 电池充电电路中的保护元件 4. 通信与网络设备 由于其高频特性和低噪声设计，ZXTN5551GTA 在通信和网络设备中也有广泛应用，例如： - 调制解调器中的信号处理 - 网络交换机中的数据传输优化 5. 消费类电子产品 ZXTN5551GTA 的小型封装和高效能使其非常适合嵌入式系统和便携式设备，例如： - 手持设备中的信号处理 - 家用电器中的控制电路 6. 工业自动化 在工业领域，该晶体管可用于各种传感器接口和信号转换电路，例如： - 温度传感器信号放大 - 压力传感器信号调理 总体而言，ZXTN5551GTA 凭借其高增益、低噪声和宽频率响应特性，适用于多种需要精密信号处理和高效开关操作的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 160V SOT223两极晶体管 - BJT 160V 600mA NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTN5551GTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXTN5551GTA |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZXTN5551GTR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 130 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 160V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 80 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 at 1 mA at 5 V, 80 at 10 mA at 5 V, 30 at 50 mA at 5 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 160 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 180 V |
| 频率-跃迁 | 130MHz |
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