ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > ZXTN25100DZTA
Datasheet下载- 型号： ZXTN25100DZTA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTN25100DZTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTN25100DZTA价格参考。Diodes Inc.ZXTN25100DZTA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 100V 2.5A 175MHz 2.4W 表面贴装 SOT-89-3。您可以下载ZXTN25100DZTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXTN25100DZTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXTN25100DZTA是一款单通道双极晶体管（BJT），具有多种应用场景。以下是其主要应用领域： 1. 电源管理： - 该晶体管常用于各种电源管理系统中，如线性稳压器、开关电源和电池充电电路。它能够提供稳定的电流输出，确保电子设备在不同负载条件下正常工作。 2. 信号放大与处理： - ZXTN25100DZTA适用于音频放大器、射频（RF）放大器和其他模拟信号处理电路。它能够有效地放大微弱信号，同时保持低噪声和高增益特性，确保信号传输的质量。 3. 开关控制： - 在需要精确控制电流或电压的应用中，如继电器驱动、LED驱动和电机控制，该晶体管可以作为开关元件使用。它的快速开关特性和低饱和电压使其非常适合这些应用场景。 4. 保护电路： - 该晶体管可用于过流保护、短路保护和温度保护电路中。通过监测电流或温度变化，它可以及时切断电路，防止损坏其他关键组件。 5. 通信设备： - 在通信设备中，如无线发射器、接收器和调制解调器，ZXTN25100DZTA可以用于信号放大和调制解调电路。其高频性能和稳定性有助于提高通信系统的可靠性和效率。 6. 消费电子产品： - 该晶体管广泛应用于智能手机、平板电脑、智能手表等消费电子产品中。它可以在这些设备中实现电源管理、信号处理和开关控制等功能，提升产品的性能和用户体验。 7. 工业自动化： - 在工业自动化系统中，如可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口和执行器驱动，ZXTN25100DZTA可以提供可靠的电流和电压控制，确保系统的稳定运行。 总之，ZXTN25100DZTA凭借其高性能、可靠性和广泛的适用性，在多个领域中发挥着重要作用。无论是消费电子产品还是工业控制系统，它都能满足不同应用场景的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN HI GAIN 100V SOT89两极晶体管 - BJT NPN 100V HIGH GAIN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTN25100DZTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXTN25100DZTA |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 345mV @ 250mA，2.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 300 @ 10mA，2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | ZXTN25100DZDKR |
| 功率-最大值 | 2.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 175 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 4460 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2.5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 at 10 mA at 2 V, 120 at 0.5 A at 2 V, 40 at 1 A at 2 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 180 V |
| 频率-跃迁 | 175MHz |
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