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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTN25100BFHTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTN25100BFHTA价格参考。Diodes Inc.ZXTN25100BFHTA封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 100V 3A 160MHz 1.25W 表面贴装 SOT-23-3。您可以下载ZXTN25100BFHTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXTN25100BFHTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXTN25100BFHTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 NPN 型双极性晶体管(BJT),属于单晶体管系列。该型号的晶体管具有低饱和电压、高增益和快速开关速度的特点,适用于多种电子电路中的信号放大和开关应用。以下是其主要应用场景: 1. 开关应用 - 电源管理:可用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等电路中,作为开关元件控制电流的通断。 - 负载驱动:用于驱动小型电机、继电器、LED 灯条等负载,实现高效的开关控制。 2. 信号放大 - 音频放大:在低功率音频放大器中,用作前置放大级或推动级,提供足够的增益以驱动扬声器或其他音频设备。 - 传感器信号放大:将微弱的传感器信号(如温度、压力、光敏传感器)放大到可被后续电路处理的水平。 3. 保护电路 - 过流保护:通过设计限流电路,利用 BJT 的特性实现对负载的过流保护功能。 - 短路保护:在某些电路中,可以配置为检测短路状态并迅速切断电流路径。 4. 通信与接口电路 - 电平转换:用于不同电压电平之间的信号转换,例如 TTL 到 RS-232 的电平适配。 - 数据传输缓冲:在低速数据通信中,用作信号增强器以提高传输距离和可靠性。 5. 脉冲调制与控制 - PWM 控制:在脉宽调制(PWM)电路中,用于调节输出功率或控制直流电机的速度。 - 频率调制:在一些简单的无线发射或接收电路中,可以用作调制器或解调器的一部分。 6. 其他通用用途 - 逻辑电路扩展:在需要扩展逻辑门功能时,可以用作简单的逻辑开关或反相器。 - 多路复用/解复用:在多路信号切换电路中,作为选择性通道的控制元件。 总之,ZXTN25100BFHTA 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域,能够满足各种中小功率场景下的需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN 100V 3A SOT23-3两极晶体管 - BJT NPN Medium Power |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTN25100BFHTA- |
数据手册 | |
产品型号 | ZXTN25100BFHTA |
PCN其它 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300mA,3A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,2V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
其它名称 | ZXTN25100BFH |
功率-最大值 | 1.25W |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 7 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 160 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 1810 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 3 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 100 at 10 mA at 2 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 at 10 mA at 2 V, 50 at 1 A at 2 V |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
集电极—基极电压VCBO | 170 V |
频率-跃迁 | 160MHz |