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  • 型号: ZXTN25100BFHTA
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTN25100BFHTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTN25100BFHTA价格参考。Diodes Inc.ZXTN25100BFHTA封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 100V 3A 160MHz 1.25W 表面贴装 SOT-23-3。您可以下载ZXTN25100BFHTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXTN25100BFHTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ZXTN25100BFHTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 NPN 型双极性晶体管(BJT),属于单晶体管系列。该型号的晶体管具有低饱和电压、高增益和快速开关速度的特点,适用于多种电子电路中的信号放大和开关应用。以下是其主要应用场景:

 1. 开关应用
   - 电源管理:可用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等电路中,作为开关元件控制电流的通断。
   - 负载驱动:用于驱动小型电机、继电器、LED 灯条等负载,实现高效的开关控制。

 2. 信号放大
   - 音频放大:在低功率音频放大器中,用作前置放大级或推动级,提供足够的增益以驱动扬声器或其他音频设备。
   - 传感器信号放大:将微弱的传感器信号(如温度、压力、光敏传感器)放大到可被后续电路处理的水平。

 3. 保护电路
   - 过流保护:通过设计限流电路,利用 BJT 的特性实现对负载的过流保护功能。
   - 短路保护:在某些电路中,可以配置为检测短路状态并迅速切断电流路径。

 4. 通信与接口电路
   - 电平转换:用于不同电压电平之间的信号转换,例如 TTL 到 RS-232 的电平适配。
   - 数据传输缓冲:在低速数据通信中,用作信号增强器以提高传输距离和可靠性。

 5. 脉冲调制与控制
   - PWM 控制:在脉宽调制(PWM)电路中,用于调节输出功率或控制直流电机的速度。
   - 频率调制:在一些简单的无线发射或接收电路中,可以用作调制器或解调器的一部分。

 6. 其他通用用途
   - 逻辑电路扩展:在需要扩展逻辑门功能时,可以用作简单的逻辑开关或反相器。
   - 多路复用/解复用:在多路信号切换电路中,作为选择性通道的控制元件。

总之,ZXTN25100BFHTA 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域,能够满足各种中小功率场景下的需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR NPN 100V 3A SOT23-3两极晶体管 - BJT NPN Medium Power

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTN25100BFHTA-

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产品型号

ZXTN25100BFHTA

PCN其它

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 300mA,3A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 10mA,2V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3

其它名称

ZXTN25100BFH
ZXTN25100BFHTR

功率-最大值

1.25W

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

7 V

商标

Diodes Incorporated

增益带宽产品fT

160 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

1810 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

3 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

3A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

100 at 10 mA at 2 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

100 at 10 mA at 2 V, 50 at 1 A at 2 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

100 V

集电极—基极电压VCBO

170 V

频率-跃迁

160MHz

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