ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > ZXTN25040DFHTA
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTN25040DFHTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTN25040DFHTA价格参考。Diodes Inc.ZXTN25040DFHTA封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 40V 4A 190MHz 1.25W 表面贴装 SOT-23-3。您可以下载ZXTN25040DFHTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXTN25040DFHTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXTN25040DFHTA是一款晶体管 - 双极 (BJT) - 单,具有多种应用场景。该器件属于NPN型晶体管,其主要特点包括低饱和电压、高电流增益和快速开关特性,适用于各种电源管理和信号处理应用。 1. 电源管理:ZXTN25040DFHTA可用于线性稳压器和开关模式电源(SMPS)中。在这些应用中,它能够高效地调节输出电压,确保稳定的电源供应。其低饱和电压特性有助于减少功率损耗,提高整体效率。 2. 电机驱动:在小型电机控制中,这款晶体管可以作为开关元件,用于控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性使得电机响应更加灵敏,同时减少了能耗。 3. 信号放大:ZXTN25040DFHTA适用于音频放大器和其他需要信号放大的电路中。它能够提供良好的增益性能,确保信号不失真,适合用于消费电子设备中的音频处理模块。 4. 负载切换:在需要频繁切换负载的应用中,如LED驱动、继电器控制等,这款晶体管可以快速、可靠地进行通断操作,保证系统的稳定性和可靠性。 5. 保护电路:该晶体管还可以用于过流保护和短路保护电路中。通过检测异常电流并迅速切断电路,防止损坏其他关键组件,从而提高系统的安全性。 6. 通信设备:在某些通信设备中,ZXTN25040DFHTA可以用作射频(RF)信号的开关或调制器,帮助实现高效的信号传输和处理。 总之,ZXTN25040DFHTA凭借其优异的电气性能和广泛的适用性,在众多领域中都能发挥重要作用,特别是在需要高效电源管理、信号处理和保护功能的应用场景中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN 40V 4A SOT23-3两极晶体管 - BJT NPN 40V HIGH GAIN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTN25040DFHTA- |
数据手册 | |
产品型号 | ZXTN25040DFHTA |
PCN其它 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 190mV @ 400mA,4A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 300 @ 10mA,2V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
其它名称 | ZXTN25040DFHCT |
功率-最大值 | 1.25W |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 7 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 190 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 1.25 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 10 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 4A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 300 at 10 mA at 2 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
集电极—基极电压VCBO | 130 V |
集电极连续电流 | 4 A |
频率-跃迁 | 190MHz |