ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > ZXTN2010GTA
Datasheet下载- 型号： ZXTN2010GTA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTN2010GTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTN2010GTA价格参考。Diodes Inc.ZXTN2010GTA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 60V 6A 130MHz 3W 表面贴装 SOT-223。您可以下载ZXTN2010GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXTN2010GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXTN2010GTA是一款单个双极晶体管（BJT），具有多种应用场景。以下是一些典型的应用领域和使用方式： 1. 电源管理 ZXTN2010GTA常用于电源管理电路中，特别是在低功耗应用中。它可以用作开关或线性稳压器中的关键元件，帮助调节电压和电流。其低饱和电压（Vce(sat)）特性使其在高效能电源设计中表现出色，能够减少能量损耗并提高系统效率。 2. 信号放大 该晶体管适用于各种模拟信号放大电路。由于其良好的增益特性和宽工作温度范围（-55°C至+150°C），它可以在音频放大器、射频（RF）前端和其他需要高稳定性的放大电路中发挥重要作用。ZXTN2010GTA的高电流增益（hFE）确保了信号的准确放大，同时保持较低的噪声水平。 3. 驱动电路 在电机驱动和继电器控制等应用中，ZXTN2010GTA可以作为驱动级晶体管，将微控制器或其他控制单元发出的弱电信号转换为足够的电流来驱动负载。其较高的集电极-发射极击穿电压（Vceo）允许它在较高电压下可靠工作，适合驱动各类小型电机或电磁阀。 4. 保护电路 ZXTN2010GTA还可以用于构建过流保护、短路保护等安全电路。通过检测异常电流并在必要时切断电源，它可以有效防止设备损坏。此外，其快速开关速度有助于实现更精确的保护响应。 5. 传感器接口 在工业自动化和物联网（IoT）设备中，ZXTN2010GTA可用于传感器接口电路，将传感器输出的微弱信号进行放大和调理，以便后续处理。它的小封装尺寸（如SOT-23）使得它非常适合空间受限的设计。 总之，ZXTN2010GTA凭借其优异的电气性能和可靠性，在多种电子设备和系统中都有广泛的应用前景，尤其是在对效率、稳定性和紧凑性有较高要求的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN LO SAT 60V 6A SOT223两极晶体管 - BJT 60V NPN Low Sat |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTN2010GTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXTN2010GTA |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 260mV @ 300mA，6A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 2A，1V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZXTN2010GTR |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 130 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 3 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 100 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 at 10 mA at 1 V, 100 at 2 A at 1 V, 55 at 5 A at 1 V, 20 at 10 A at 1 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 150 V |
| 集电极连续电流 | 6 A |
| 频率-跃迁 | 130MHz |
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