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  • 型号: ZXTD4591E6TA
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTD4591E6TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTD4591E6TA价格参考。Diodes Inc.ZXTD4591E6TA封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 60V 1A 150MHz 1.1W Surface Mount SOT-23-6。您可以下载ZXTD4591E6TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXTD4591E6TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6两极晶体管 - BJT Dual 60V NPN/PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTD4591E6TA-

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产品型号

ZXTD4591E6TA

PCN其它

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PCN设计/规格

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

600mV @ 100mA,1A / 500mV @ 100mA,1A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 500mA,5V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-6

其它名称

ZXTD4591E6CT

其它图纸

功率-最大值

1.1W

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

Diodes Incorporated

增益带宽产品fT

150 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-23-6

封装/箱体

SOT-23-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

NPN,PNP

最大功率耗散

1700 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流电流增益hFE最大值

100 at 1 mA at 5 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

100 at 1 mA at 5 V at NPN, 100 at 500 mA at 5 V at NPN, 80 at 1 A at 5 V at NPN, 30 at 2 A at 5 V at NPN, 100 at 1 mA at 5 V at PNP, 100 at 500 mA at 5 V at PNP, 80 at 1 A at 5 V at PNP, 15 at 2 A at 5 V at PNP

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

60 V

集电极—基极电压VCBO

80 V

频率-跃迁

150MHz

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