ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > ZXTD4591E6TA
Datasheet下载- 型号： ZXTD4591E6TA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTD4591E6TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTD4591E6TA价格参考。Diodes Inc.ZXTD4591E6TA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 60V 1A 150MHz 1.1W Surface Mount SOT-23-6。您可以下载ZXTD4591E6TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXTD4591E6TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXTD4591E6TA是一款双极晶体管（BJT）阵列，主要应用于需要高性能、高可靠性的电路设计中。该器件由多个双极晶体管组成，适用于多种应用场景，特别是在电源管理、信号放大和开关控制等领域。 1. 电源管理 ZXTD4591E6TA可以用于电源管理电路中的电压调节器、电流限制器等。由于其低饱和电压和高电流处理能力，能够有效提高电源转换效率，减少功耗。在便携式设备如智能手机、平板电脑以及物联网（IoT）设备中，该器件可以帮助延长电池寿命，确保设备在低功耗模式下的稳定运行。 2. 信号放大 该晶体管阵列也可用于模拟信号放大电路中。双极晶体管具有较高的增益特性，适合用于音频放大器、传感器信号调理电路等场合。例如，在音频设备中，ZXTD4591E6TA可以提供稳定的信号放大功能，确保声音输出的质量和稳定性。 3. 开关控制 在开关应用中，ZXTD4591E6TA可以用作高速开关元件，适用于电机驱动、继电器控制等场景。其快速的开关速度和低导通电阻使得它能够在高频工作条件下保持高效能。此外，该器件还可以用于LED驱动电路中，实现亮度调节等功能。 4. 保护电路 ZXTD4591E6TA还广泛应用于过流保护、短路保护等电路中。通过监测电流的变化并及时切断电路，它可以有效地防止因过载或短路导致的设备损坏，提升系统的安全性和可靠性。 5. 工业自动化 在工业控制系统中，ZXTD4591E6TA可用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口等设备中，作为信号传输和处理的关键元件。其耐高温、抗干扰能力强的特点使其非常适合恶劣的工业环境。 总的来说，ZXTD4591E6TA凭借其出色的电气性能和可靠性，成为众多电子设备中不可或缺的一部分，尤其适用于对性能和稳定性有较高要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6两极晶体管 - BJT Dual 60V NPN/PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTD4591E6TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXTD4591E6TA |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 100mA，1A / 500mV @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 500mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
| 其它名称 | ZXTD4591E6CT |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SOT-23-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 1700 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 100 at 1 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 at 1 mA at 5 V at NPN, 100 at 500 mA at 5 V at NPN, 80 at 1 A at 5 V at NPN, 30 at 2 A at 5 V at NPN, 100 at 1 mA at 5 V at PNP, 100 at 500 mA at 5 V at PNP, 80 at 1 A at 5 V at PNP, 15 at 2 A at 5 V at PNP |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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