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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTD4591E6TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTD4591E6TA价格参考。Diodes Inc.ZXTD4591E6TA封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 60V 1A 150MHz 1.1W Surface Mount SOT-23-6。您可以下载ZXTD4591E6TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXTD4591E6TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6两极晶体管 - BJT Dual 60V NPN/PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTD4591E6TA- |
数据手册 | |
产品型号 | ZXTD4591E6TA |
PCN其它 | |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 100mA,1A / 500mV @ 100mA,1A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-23-6 |
其它名称 | ZXTD4591E6CT |
其它图纸 | |
功率-最大值 | 1.1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 150 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-6 |
封装/箱体 | SOT-23-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | NPN,PNP |
最大功率耗散 | 1700 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 1 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
直流电流增益hFE最大值 | 100 at 1 mA at 5 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 at 1 mA at 5 V at NPN, 100 at 500 mA at 5 V at NPN, 80 at 1 A at 5 V at NPN, 30 at 2 A at 5 V at NPN, 100 at 1 mA at 5 V at PNP, 100 at 500 mA at 5 V at PNP, 80 at 1 A at 5 V at PNP, 15 at 2 A at 5 V at PNP |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
集电极—基极电压VCBO | 80 V |
频率-跃迁 | 150MHz |