Datasheet下载- 型号： ZXTC2062E6TA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTC2062E6TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTC2062E6TA价格参考。Diodes Inc.ZXTC2062E6TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXTC2062E6TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXTC2062E6TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 20V SOT23-6两极晶体管 - BJT 20V 1A Complementary Med power transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTC2062E6TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXTC2062E6TA |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 190mV @ 200mA，4A / 250mV @ 175mA，3.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 280 @ 1A，2V / 170 @ 1A，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
| 其它名称 | ZXTC2062E6CT |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 215 MHz, 290 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 1700 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 4 A at NPN, 3.5 A at PNP |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A，3.5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 at 10 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 at 10 mA at 2 V at NPN, 280 at 1 A at 2 V at NPN, 140 at 4 A at 2 V at NPN, 300 at 10 mA at 2 V at PNP, 170 at 1 A at 2 V at PNP, 65 at 3.5 A at 2 V at PNP |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 25 V, 100 V |
| 频率-跃迁 | 215MHz，290MHz |
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