Datasheet下载- 型号： ZXMS6006DGTA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMS6006DGTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMS6006DGTA价格参考￥4.22-￥9.82。Diodes Inc.ZXMS6006DGTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMS6006DGTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMS6006DGTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V SOT223MOSFET 60V N-CH INTELLIFET 60V VDS Mosfet |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMS6006DGTAINTELLIFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMS6006DGTA |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 5 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 5 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZXMS6006DGTADI |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 75 毫欧 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-电源 | 0 V ~ 5.5 V |
| 电流-峰值输出 | 13A |
| 电流-输出/通道 | 2.8A |
| 类型 | 低端 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 输出数 | 1 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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