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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMP6A18KTC由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMP6A18KTC价格参考¥6.01-¥7.90。Diodes Inc.ZXMP6A18KTC封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 60V 6.8A(Ta) 2.15W(Ta) TO-252-3。您可以下载ZXMP6A18KTC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMP6A18KTC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAKMOSFET 60V P-Channel 6.8A MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 10.4 A |
Id-连续漏极电流 | 10.4 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMP6A18KTC- |
数据手册 | |
产品型号 | ZXMP6A18KTC |
PCN其它 | |
Pd-PowerDissipation | 10.1 W |
Pd-功率耗散 | 10.1 W |
Qg-GateCharge | 44 nC |
Qg-栅极电荷 | 44 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
上升时间 | 5.8 ns |
下降时间 | 23 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1580pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 55 毫欧 @ 3.5A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252-3 |
其它名称 | ZXMP6A18KTCCT |
典型关闭延迟时间 | 55 ns |
功率-最大值 | 2.15W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 8.7 S |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.8A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |