ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > ZXMP6A18DN8TA
Datasheet下载- 型号： ZXMP6A18DN8TA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMP6A18DN8TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMP6A18DN8TA价格参考￥3.80-￥4.98。Diodes Inc.ZXMP6A18DN8TA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 3.7A 1.8W 表面贴装 8-SO。您可以下载ZXMP6A18DN8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMP6A18DN8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOICMOSFET Dl 60V P-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.8 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4.8 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMP6A18DN8TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMP6A18DN8TA |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| Qg-GateCharge | 23 nC |
| Qg-栅极电荷 | 23 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 5.8 ns |
| 下降时间 | 23 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1580pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 55 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | ZXMP6A18DN8TR |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 正向跨导-最小值 | 8.7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.7A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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