【晶体管 - FET，MOSFET - 阵列_ZXMP6A18DN8TA】封装/厂家_ZXMP6A18DN8TA中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > ZXMP6A18DN8TA

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： ZXMP6A18DN8TA
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMP6A18DN8TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMP6A18DN8TA价格参考￥3.80-￥4.98。Diodes Inc.ZXMP6A18DN8TA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 3.7A 1.8W 表面贴装 8-SO。您可以下载ZXMP6A18DN8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMP6A18DN8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ZXMP6A18DN8TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列型号。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电子应用领域。以下是其主要应用场景：

1. 电源管理：  
   ZXMP6A18DN8TA 常用于 DC-DC 转换器、负载开关和电压调节模块中。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以减少功率损耗，提高效率，非常适合便携式设备和电池供电系统的电源管理。

2. 电机控制：  
   在小型电机驱动电路中，该 MOSFET 阵列可用于实现高效的 PWM 控制，支持风扇、泵和其他小型直流电机的应用。

3. 信号切换：  
   由于其快速开关特性和低电容设计，该器件适合用作信号切换元件，例如在音频设备、数据通信接口或传感器信号处理中。

4. 电池保护：  
   在锂电池保护电路中，ZXMP6A18DN8TA 可用于过流保护和短路保护，确保电池的安全运行。

5. 消费类电子产品：  
   广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中，提供高效、紧凑的解决方案。

6. 工业应用：  
   在工业自动化设备中，如 PLC 模块、继电器驱动和信号隔离电路中，该器件也能发挥重要作用。

7. 汽车电子：  
   虽然具体耐温范围需查阅数据手册确认，但类似产品通常可用于汽车电子中的简单开关功能，例如 LED 照明控制或小型传感器接口。

总之，ZXMP6A18DN8TA 凭借其高性能和小封装尺寸，成为各种低功耗、高效率应用的理想选择。在实际设计时，应根据具体需求参考官方数据手册以确保最佳性能。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOICMOSFET Dl 60V P-Chnl UMOS
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 P 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	- 4.8 A
Id-连续漏极电流	- 4.8 A
品牌	Diodes Incorporated
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMP6A18DN8TA-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	ZXMP6A18DN8TA
Pd-PowerDissipation	2.1 W
Pd-功率耗散	2.1 W
Qg-GateCharge	23 nC
Qg-栅极电荷	23 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	55 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	55 mOhms
RoHS指令信息	http://diodes.com/download/4349
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 60 V
Vds-漏源极击穿电压	- 60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	- 1 V
Vgsth-栅源极阈值电压	- 1 V
上升时间	5.8 ns
下降时间	23 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA （最小）
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1580pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	44nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	55 毫欧 @ 3.5A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SOP
其它名称	ZXMP6A18DN8TR
典型关闭延迟时间	55 ns
功率-最大值	1.8W
包装	带卷（TR）
商标	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Tube
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8
工厂包装数量	500
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	500
正向跨导-最小值	8.7 S
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3.7A
通道模式	Enhancement
配置	Dual