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Datasheet下载- 型号： ZXMP6A17GTA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMP6A17GTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMP6A17GTA价格参考￥询价-￥询价。Diodes Inc.ZXMP6A17GTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 3A（Ta） 2W（Ta） SOT-223。您可以下载ZXMP6A17GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMP6A17GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXMP6A17GTA是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电子设备中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 ZXMP6A17GTA常用于电源管理电路中，如开关电源、DC-DC转换器和线性稳压器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得它在高效能电源转换应用中表现出色，能够减少功率损耗，提高整体效率。例如，在笔记本电脑、智能手机和平板电脑的充电电路中，它可以作为开关元件，控制电流的通断。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，ZXMP6A17GTA可以用于控制电机的启动、停止和调速。它的快速开关特性和低功耗使其适合用于风扇、水泵和其他小型直流电机的驱动电路中。此外，它还可以用于步进电机和伺服电机的驱动电路中，提供稳定的电流控制。 3. 负载开关 该MOSFET适用于负载开关应用，特别是在需要频繁切换负载电流的场合。例如，在便携式电子产品中，ZXMP6A17GTA可以用作负载开关，控制外部设备的供电，确保在不使用时切断电源，从而延长电池寿命。 4. 保护电路 ZXMP6A17GTA还可以用于过流保护和短路保护电路中。通过检测电流大小，当超过设定阈值时，MOSFET会迅速关断，防止电路损坏。这种保护机制常见于USB端口、电池管理系统（BMS）和电源适配器中。 5. 音频放大器 在一些低功耗音频放大器中，ZXMP6A17GTA可以用作输出级的开关元件，帮助实现高效的音频信号传输。由于其低噪声和高频率响应特性，它可以在不影响音质的情况下提供稳定的输出。 6. 通信设备 在通信设备中，如路由器、调制解调器和无线接入点，ZXMP6A17GTA可用于电源管理和信号调理电路中，确保设备在不同工作模式下的稳定运行。 总之，ZXMP6A17GTA凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域，尤其适合对功耗和效率有较高要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 3A SOT223MOSFET 60V P-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.1 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4.1 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMP6A17GTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMP6A17GTA |
| Pd-PowerDissipation | 3.9 W |
| Pd-功率耗散 | 3.9 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 125 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 125 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 3.4 ns |
| 下降时间 | 11.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 637pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZXMP6A17GCT |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 26.2 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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