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Datasheet下载- 型号： ZXMP6A16DN8TA
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMP6A16DN8TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMP6A16DN8TA价格参考。Diodes Inc.ZXMP6A16DN8TA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 2.9A 1.81W 表面贴装 8-SO。您可以下载ZXMP6A16DN8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMP6A16DN8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXMP6A16DN8TA是一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品。该型号属于N沟道MOSFET阵列，具有低导通电阻和高开关速度等特点，适用于多种应用场景。 1. 电源管理： ZXMP6A16DN8TA常用于电源管理电路中，如DC-DC转换器、线性稳压器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少传导损耗，提高电源转换效率，特别适合需要高效能电源管理的应用，如便携式电子设备、消费电子产品等。 2. 开关应用： 该器件可以作为开关元件使用，适用于负载开关、保护电路等场景。例如，在USB端口保护、电池管理系统（BMS）中，它能够快速响应过流、短路等异常情况，提供有效的保护功能。 3. 电机驱动： 在小型电机驱动应用中，ZXMP6A16DN8TA可用于控制电机的启停、转向等功能。其高开关速度和低功耗特性使其成为驱动步进电机、直流电机的理想选择，广泛应用于智能家居、家电产品等领域。 4. 数据通信： 在数据通信领域，该MOSFET阵列可用于信号切换、隔离等场合。例如，在网络交换机、路由器等设备中，它可以实现高速信号的可靠传输，并具备良好的电磁兼容性（EMC）性能。 5. 汽车电子： 随着汽车电子化程度不断提高，ZXMP6A16DN8TA也逐渐应用于汽车电子系统中。它可作为车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统中的关键组件，确保系统的稳定运行。 综上所述，ZXMP6A16DN8TA凭借其优异的电气特性，在多个领域展现出广泛的应用前景，特别是在对效率、可靠性要求较高的场景下表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOICMOSFET Dl 60V P-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-连续漏极电流 | - 3.9 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMP6A16DN8TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMP6A16DN8TA |
| Pd-PowerDissipation | 2.15 W |
| Pd-功率耗散 | 2.15 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 125 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 4.1 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1021pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 2.9A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | ZXMP6A16DN8TR |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 1.81W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 125 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
| 漏极连续电流 | - 3.9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.9A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
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