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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMP4A16GTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMP4A16GTA价格参考¥5.75-¥7.62。Diodes Inc.ZXMP4A16GTA封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 40V 4.6A(Ta) 2W(Ta) SOT-223。您可以下载ZXMP4A16GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMP4A16GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXMP4A16GTA是一款N沟道增强型MOSFET,其应用场景非常广泛,尤其是在需要高效、低功耗和高可靠性的电路设计中。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 ZXMP4A16GTA常用于各种电源管理电路中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、线性稳压器等。它具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少功率损耗,提高电源转换效率。此外,该器件的工作电压范围较广(Vgs(th)为1.25V,Vds(max)为30V),适合低压应用场合。 2. 负载开关 在便携式设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等中,负载开关用于控制不同模块的供电状态。ZXMP4A16GTA的低导通电阻和快速开关特性使其成为理想的负载开关选择,能够在不影响系统性能的情况下实现高效的电源管理。 3. 电池管理系统 该MOSFET适用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制。通过精确控制电流流动,它可以防止电池过充或过放,从而延长电池寿命并提高安全性。此外,其低静态电流(Igss)特性有助于减少待机时的功耗,进一步提升系统的能效。 4. 电机驱动 在小型电机驱动应用中,如无人机、电动工具、家用电器等,ZXMP4A16GTA可以作为电机驱动电路的一部分,用于控制电机的启停和转速。其较高的电流承载能力(Id(max)为6.5A)和快速开关速度能够满足电机驱动的需求,同时保持较低的发热。 5. 信号切换 该MOSFET还可以用于信号切换电路中,特别是在高速通信设备、数据传输接口等场景下。其低电容和快速响应时间确保了信号的完整性,减少了信号延迟和失真。 6. 保护电路 在许多电子设备中,保护电路是必不可少的。ZXMP4A16GTA可以用于过流保护、短路保护等电路中,凭借其坚固的结构和耐高压特性,能够有效防止电路因异常情况而损坏。 总之,ZXMP4A16GTA凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等多个领域,尤其适合对功耗和效率有较高要求的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223MOSFET 40V P-Chnl UMOS |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | - 6.4 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMP4A16GTA- |
数据手册 | |
产品型号 | ZXMP4A16GTA |
Pd-PowerDissipation | 3.9 W |
Pd-功率耗散 | 3.9 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 8.84 ns |
下降时间 | 12.54 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1007pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26.1nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 60 毫欧 @ 3.8A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | ZXMP4A16GDKR |
其它图纸 | |
典型关闭延迟时间 | 29.18 ns |
功率-最大值 | 2W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 100 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | - 40 V |
漏极连续电流 | - 6.4 A |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.6A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |