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  • 型号: ZXMN6A25N8TA
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN6A25N8TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN6A25N8TA价格参考。Diodes Inc.ZXMN6A25N8TA封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 4.3A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO。您可以下载ZXMN6A25N8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMN6A25N8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ZXMN6A25N8TA 是由 Diodes Incorporated 生产的 N 通道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。这种晶体管广泛应用于多种电子设备中,主要用于电源管理、信号切换和功率控制等领域。以下是 ZXMN6A25N8TA 的一些典型应用场景:

1. 电源管理:
   - 开关电源 (SMPS):ZXMN6A25N8TA 可用于开关电源中的功率级控制,如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻(Rds(on))有助于提高效率,减少功率损耗。
   - 电池充电电路:在便携式设备的电池充电电路中,该 MOSFET 可用于控制充电电流,确保安全充电。

2. 电机驱动:
   - 直流电机控制:ZXMN6A25N8TA 可用于驱动小型直流电机,通过 PWM(脉宽调制)控制电机速度和方向。
   - 步进电机和伺服电机:在需要精确控制的场合,如打印机、扫描仪等设备中,MOSFET 可用于驱动步进电机或伺服电机。

3. 负载开关:
   - 电源分配:在多负载系统中,ZXMN6A25N8TA 可用作负载开关,实现对不同负载的独立控制,确保系统的稳定性和安全性。
   - 热插拔保护:在服务器和通信设备中,该 MOSFET 可用于热插拔保护电路,防止插入或拔出模块时产生瞬态电流冲击。

4. 信号切换:
   - 模拟信号切换:ZXMN6A25N8TA 可用于模拟信号的高速切换,适用于音频设备、传感器接口等应用。
   - 数字信号隔离:在需要电气隔离的数字信号传输中,MOSFET 可用于隔离高电压与低电压域,保护敏感电路。

5. 过流保护:
   - 电流限制电路:在电源和负载之间加入 ZXMN6A25N8TA,可以实现过流保护功能,当电流超过设定值时自动切断电路,保护下游元件。

总之,ZXMN6A25N8TA 凭借其低导通电阻、快速开关特性和良好的耐压能力,在各种电力电子应用中表现出色,适用于需要高效、可靠功率控制的场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V SO8

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

ZXMN6A25N8TA

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1063pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

50 毫欧 @ 3.6A,10V

供应商器件封装

8-SO

其它名称

ZXMN6A25N8TADI

功率-最大值

1.56W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.3A (Ta)

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