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产品简介:
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ZXMN6A25N8TA 是由 Diodes Incorporated 生产的 N 通道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。这种晶体管广泛应用于多种电子设备中,主要用于电源管理、信号切换和功率控制等领域。以下是 ZXMN6A25N8TA 的一些典型应用场景: 1. 电源管理: - 开关电源 (SMPS):ZXMN6A25N8TA 可用于开关电源中的功率级控制,如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻(Rds(on))有助于提高效率,减少功率损耗。 - 电池充电电路:在便携式设备的电池充电电路中,该 MOSFET 可用于控制充电电流,确保安全充电。 2. 电机驱动: - 直流电机控制:ZXMN6A25N8TA 可用于驱动小型直流电机,通过 PWM(脉宽调制)控制电机速度和方向。 - 步进电机和伺服电机:在需要精确控制的场合,如打印机、扫描仪等设备中,MOSFET 可用于驱动步进电机或伺服电机。 3. 负载开关: - 电源分配:在多负载系统中,ZXMN6A25N8TA 可用作负载开关,实现对不同负载的独立控制,确保系统的稳定性和安全性。 - 热插拔保护:在服务器和通信设备中,该 MOSFET 可用于热插拔保护电路,防止插入或拔出模块时产生瞬态电流冲击。 4. 信号切换: - 模拟信号切换:ZXMN6A25N8TA 可用于模拟信号的高速切换,适用于音频设备、传感器接口等应用。 - 数字信号隔离:在需要电气隔离的数字信号传输中,MOSFET 可用于隔离高电压与低电压域,保护敏感电路。 5. 过流保护: - 电流限制电路:在电源和负载之间加入 ZXMN6A25N8TA,可以实现过流保护功能,当电流超过设定值时自动切断电路,保护下游元件。 总之,ZXMN6A25N8TA 凭借其低导通电阻、快速开关特性和良好的耐压能力,在各种电力电子应用中表现出色,适用于需要高效、可靠功率控制的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V SO8 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | ZXMN6A25N8TA |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1063pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20.4nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 50 毫欧 @ 3.6A,10V |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | ZXMN6A25N8TADI |
功率-最大值 | 1.56W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 500 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.3A (Ta) |