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  • 型号: ZXMN6A25KTC
  • 制造商: Diodes Inc.
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ZXMN6A25KTC产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN6A25KTC由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN6A25KTC价格参考。Diodes Inc.ZXMN6A25KTC封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 7A(Ta) 2.11W(Ta) TO-252-3。您可以下载ZXMN6A25KTC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMN6A25KTC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V DPAKMOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS)

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

10.7 A

Id-连续漏极电流

10.7 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN6A25KTC-

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产品型号

ZXMN6A25KTC

PCN其它

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Pd-PowerDissipation

2.11 W

Pd-功率耗散

2.11 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

50 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

50 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

4 ns

下降时间

10.6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1063pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

50 毫欧 @ 3.6A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252-3

其它名称

ZXMN6A25KTCTR

典型关闭延迟时间

26.2 ns

功率-最大值

2.11W

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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