Datasheet下载- 型号： ZXMN6A09KTC
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN6A09KTC由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN6A09KTC价格参考￥5.17-￥12.26。Diodes Inc.ZXMN6A09KTC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMN6A09KTC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN6A09KTC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 11.2 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET MOSFET N-CH 60V |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 过渡期间 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN6A09KTC |
| 产品型号 | ZXMN6A09KTC |
| Pd-PowerDissipation | 10.1 W |
| Pd-功率耗散 | 10.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 4.6 ns |
| 下降时间 | 14.5 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 32.5 ns |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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