ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > ZXMN6A09DN8TC
Datasheet下载- 型号： ZXMN6A09DN8TC
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN6A09DN8TC由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN6A09DN8TC价格参考。Diodes Inc.ZXMN6A09DN8TC封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 4.3A 1.25W 表面贴装 8-SOP。您可以下载ZXMN6A09DN8TC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN6A09DN8TC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN6A09DN8TC 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管，属于 FET（场效应晶体管）/MOSFET 阵列类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理： ZXMN6A09DN8TC 适合用于各种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电压调节模块。其低导通电阻特性有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 消费电子设备： 该器件常用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式电子设备中，作为高效的开关元件，支持快速充电功能或电池保护电路。 3. 电机驱动与控制： 在小型电机驱动系统中，ZXMN6A09DN8TC 可用作驱动信号的放大器或切换器，适用于家用电器（如风扇、泵）以及玩具中的电机控制。 4. 信号切换与隔离： 在需要高频信号切换的应用场合，比如 USB 切换器或多路复用器中，此 MOSFET 阵列能够提供稳定可靠的性能。 5. 工业自动化： 工业领域内的传感器接口、继电器替代方案及数据采集系统的前端保护都可能用到这种类型的 MOSFET。 6. 通信设备： 在基站、路由器等通信设施里，ZXMN6A09DN8TC 可以参与构建高效能的电源供应子系统或者实现热插拔保护功能。 总之，凭借其优异的电气特性和紧凑型封装设计，ZXMN6A09DN8TC 广泛应用于对空间敏感且要求高效率、低功耗的各种现代电子产品之中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ZXMN6A09DN8TC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1407pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24.2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 8.2A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.3A |
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