ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > ZXMN6A09DN8TA
Datasheet下载- 型号： ZXMN6A09DN8TA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN6A09DN8TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN6A09DN8TA价格参考。Diodes Inc.ZXMN6A09DN8TA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 4.3A 1.25W 表面贴装 8-SO。您可以下载ZXMN6A09DN8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN6A09DN8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOICMOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-连续漏极电流 | 5.1 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN6A09DN8TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN6A09DN8TA |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 4.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1407pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24.2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 8.2A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | ZXMN6A09DN8CT |
| 典型关闭延迟时间 | 25.3 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 40 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 5.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.3A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
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