ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > ZXMN6A07ZTA
Datasheet下载- 型号： ZXMN6A07ZTA
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN6A07ZTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN6A07ZTA价格参考￥1.71-￥2.26。Diodes Inc.ZXMN6A07ZTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-89-3。您可以下载ZXMN6A07ZTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN6A07ZTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXMN6A07ZTA是一款N沟道增强型MOSFET，主要用于低压、高效能的应用场景。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于多种电力电子设备中的功率控制和转换。 主要应用场景： 1. 电源管理： ZXMN6A07ZTA广泛应用于DC-DC转换器、线性稳压器、电池充电电路等电源管理系统中。其低导通电阻有助于减少传导损耗，提高电源效率，特别适合于便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理模块。 2. 电机驱动： 该MOSFET适用于小型直流电机和步进电机的驱动电路。它能够承受较高的电流脉冲，确保电机启动和运行时的稳定性，同时降低功耗。常见的应用包括消费类电子产品中的风扇、泵浦和其他小型机电设备。 3. 负载开关： 在需要频繁切换负载的电路中，ZXMN6A07ZTA可以作为高效的负载开关使用。它的快速开关特性和低导通电阻使得它能够在毫秒级时间内完成开关动作，同时保持较低的温升，适用于USB端口保护、电池管理系统等场合。 4. 信号切换： ZXMN6A07ZTA还可以用于模拟和数字信号的高速切换。其低栅极电荷和快速响应时间使其成为音频放大器、数据通信接口等信号处理电路的理想选择。 5. 过流保护： 在设计过流保护电路时，ZXMN6A07ZTA可以用作限流元件。通过检测流经MOSFET的电流并结合外部控制器，可以在电流超过设定阈值时迅速切断电路，保护系统免受损坏。 总之，ZXMN6A07ZTA凭借其优异的电气性能和可靠性，在各种低压、高效能的应用中表现出色，尤其适合对功耗和空间有严格要求的小型化电子产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89MOSFET 60V N-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.2 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN6A07ZTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN6A07ZTA |
| PCN其它 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.6 W |
| Pd-功率耗散 | 2.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 250 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 250 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 1.4 ns |
| 下降时间 | 2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 166pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 250 毫欧 @ 1.8A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | ZXMN6A07ZTR |
| 典型关闭延迟时间 | 4.9 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.9A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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