ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > ZXMN6A07FTA
Datasheet下载- 型号： ZXMN6A07FTA
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN6A07FTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN6A07FTA价格参考￥0.58-￥0.86。Diodes Inc.ZXMN6A07FTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 1.2A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载ZXMN6A07FTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN6A07FTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXMN6A07FTA是一款单通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具体属于N沟道增强型MOSFET。这款器件在多种应用场景中表现出色，特别是在需要高效能、低功耗和高可靠性的电路设计中。 主要应用场景： 1. 电源管理： ZXMN6A07FTA常用于各种电源管理电路中，如DC-DC转换器、线性稳压器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得它在开关模式电源（SMPS）应用中能够减少功率损耗，提高效率。此外，它还可以用于电池管理系统（BMS）中的充电控制和放电保护。 2. 电机驱动： 在小型电机驱动应用中，ZXMN6A07FTA可以作为开关元件来控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低导通电阻有助于减少发热，延长设备的使用寿命。 3. 负载开关： 该MOSFET适用于负载开关应用，如USB端口保护、电源路径管理等。它可以在不同电压源之间进行切换，确保系统在不同工作模式下的稳定性和安全性。 4. 信号切换： 在通信设备和消费电子中，ZXMN6A07FTA可以用作信号切换元件，实现对不同信号路径的选择和控制。其低栅极电荷（Qg）特性使其能够在高频应用中保持良好的性能。 5. 过流保护： ZXMN6A07FTA还可以用于过流保护电路中，通过检测电流并迅速切断电路，防止过载情况对其他元件造成损害。其内置的ESD保护功能进一步增强了系统的鲁棒性。 总结： ZXMN6A07FTA凭借其优异的电气性能和可靠性，在电源管理、电机驱动、负载开关、信号切换以及过流保护等多种应用场景中展现出广泛的应用潜力。其紧凑的封装形式（如SOT-23）也使得它非常适合于空间受限的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3MOSFET 60V N-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.2 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN6A07FTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN6A07FTA |
| Pd-PowerDissipation | 625 mW |
| Pd-功率耗散 | 625 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 250 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 250 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 1.4 ns |
| 下降时间 | 1.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 166pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 250 毫欧 @ 1.8A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | ZXMN6A07FTR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 4.9 ns |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.2A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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