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  • 型号: ZXMN4A06GTA
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN4A06GTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN4A06GTA价格参考¥4.06-¥5.32。Diodes Inc.ZXMN4A06GTA封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 5A(Ta) 2W(Ta) SOT-223。您可以下载ZXMN4A06GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMN4A06GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 40V 5A SOT223MOSFET 40V N-Chnl UMOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7 A

Id-连续漏极电流

7 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN4A06GTA-

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产品型号

ZXMN4A06GTA

Pd-PowerDissipation

3.9 W

Pd-功率耗散

3.9 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

75 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

75 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

4.45 ns

下降时间

7.35 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

770pF @ 40V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18.2nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

50 毫欧 @ 4.5A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-223

其它名称

ZXMN4A06GTR

其它图纸

典型关闭延迟时间

28.61 ns

功率-最大值

2W

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

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