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Datasheet下载- 型号： ZXMN4A06GTA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN4A06GTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN4A06GTA价格参考￥4.06-￥5.32。Diodes Inc.ZXMN4A06GTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 5A（Ta） 2W（Ta） SOT-223。您可以下载ZXMN4A06GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN4A06GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXMN4A06GTA是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于各种电源管理和信号切换场景中。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和出色的热性能，使其成为高效能应用的理想选择。 主要应用场景： 1. 电源管理： - DC-DC转换器：ZXMN4A06GTA适用于降压、升压或反相DC-DC转换器中的同步整流或主开关。其低导通电阻有助于减少传导损耗，提高转换效率。 - 线性稳压器：在低压差线性稳压器（LDO）中，该MOSFET可以作为旁路开关或负载开关，确保输出电压的稳定性和响应速度。 2. 电池管理系统： - 电池保护电路：用于锂电池或其他类型电池的充放电保护电路中，ZXMN4A06GTA可以作为电池与负载之间的开关，防止过充、过放和短路等异常情况。 - 电池均衡电路：在多节电池串联的应用中，该MOSFET可用于均衡各节电池的电压，延长电池组的使用寿命。 3. 电机驱动： - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在小型电机驱动电路中，ZXMN4A06GTA可以作为H桥或半桥电路中的功率开关，实现对电机的精确控制。 - 步进电机驱动：用于步进电机的电流控制和方向切换，提供高效且可靠的驱动能力。 4. 消费电子设备： - 智能手机和平板电脑：作为内部电源管理单元（PMU）的一部分，ZXMN4A06GTA用于管理不同模块的供电，如屏幕、处理器和传感器等。 - 便携式音频设备：在便携式音箱、耳机放大器等设备中，该MOSFET用于电源切换和音量控制，确保设备的高效运行和长续航时间。 5. 工业自动化： - 传感器接口：在工业传感器网络中，ZXMN4A06GTA可以用作信号隔离和电源切换，确保信号的准确传输和系统的稳定性。 - PLC控制系统：用于可编程逻辑控制器（PLC）中的输入输出模块，实现对外部设备的控制和监测。 总之，ZXMN4A06GTA凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于各类需要高效电源管理和信号切换的场景中，特别适合于便携式设备、消费电子产品和工业控制系统等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 5A SOT223MOSFET 40V N-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN4A06GTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN4A06GTA |
| Pd-PowerDissipation | 3.9 W |
| Pd-功率耗散 | 3.9 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 75 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 4.45 ns |
| 下降时间 | 7.35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 770pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZXMN4A06GTR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 28.61 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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