ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > ZXMN3B01FTA
Datasheet下载- 型号： ZXMN3B01FTA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN3B01FTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN3B01FTA价格参考。Diodes Inc.ZXMN3B01FTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 1.7A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载ZXMN3B01FTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN3B01FTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN3B01FTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻 (RDS(on)) 和快速开关特性，适用于多种电源管理和信号切换应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 ZXMN3B01FTA 常用于直流-直流转换器（DC-DC Converter）中，作为同步整流器或开关元件。它能够高效地控制电流的通断，减少能量损耗，提升电源转换效率。由于其低导通电阻特性，适合应用于需要高效率和低功耗的便携式设备、消费电子和工业电源系统。 2. 负载开关 在电源管理系统中，MOSFET 可以用作负载开关，控制不同负载电路的供电状态。ZXMN3B01FTA 的低导通电阻和快速响应时间使其成为理想的负载开关选择，尤其是在需要频繁开关操作的应用中，如智能手机、平板电脑和其他移动设备。 3. 电机驱动 该器件可以用于小型电机驱动电路，例如步进电机、直流无刷电机等。通过精确控制电流的流向和大小，MOSFET 可以实现对电机转速和方向的有效调节。ZXMN3B01FTA 的快速开关特性和低导通电阻有助于提高电机驱动系统的效率和可靠性。 4. 电池保护 在电池管理系统中，MOSFET 可用于防止过充、过放和短路等情况的发生。ZXMN3B01FTA 可以在检测到异常情况时迅速切断电流路径，保护电池和相关电路免受损坏。它广泛应用于锂电池、铅酸电池等各类电池组的保护电路中。 5. 信号切换 ZXMN3B01FTA 还可用于信号切换电路，特别是在需要隔离不同电压域或保护敏感信号的情况下。它的低导通电阻和高耐压能力使得它可以在不同工作条件下稳定可靠地切换信号路径。 总之，ZXMN3B01FTA 凭借其优异的电气性能和可靠性，在各种电源管理和信号处理应用中表现出色，适用于消费电子、工业控制、通信设备等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CHAN 30V 2A SOT23-3MOSFET 30V N Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN3B01FTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN3B01FTA |
| Pd-PowerDissipation | 625 mW |
| Pd-功率耗散 | 625 mW |
| Qg-GateCharge | 2.93 nC |
| Qg-栅极电荷 | 2.93 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.7 V |
| 上升时间 | 3.98 ns |
| 下降时间 | 3.98 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 258pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.93nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 150 毫欧 @ 1.7A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | ZXMN3B01FTR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 8 ns |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 4 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.7A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
