ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > ZXMN3A01FTA
Datasheet下载- 型号： ZXMN3A01FTA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN3A01FTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN3A01FTA价格参考。Diodes Inc.ZXMN3A01FTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 1.8A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载ZXMN3A01FTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN3A01FTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXMN3A01FTA是一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 ZXMN3A01FTA常用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理电路中。由于其低导通电阻，能够有效减少传导损耗，提高电源效率。它特别适合低压、大电流的应用场景，如便携式设备、移动电源、笔记本电脑适配器等。 2. 负载开关 该器件可用作负载开关，控制电路中的电流流向。通过外部信号控制MOSFET的开关状态，可以实现对负载的通断控制。ZXMN3A01FTA的低导通电阻有助于减少开关过程中的能量损失，适用于USB充电接口、电池管理系统等需要频繁切换负载的应用。 3. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机驱动电路中，ZXMN3A01FTA可以用作功率级开关，控制电机的启动、停止和转向。其快速开关特性和低导通电阻使其能够在高频工作状态下保持高效运行，适用于消费电子、智能家居、玩具等领域的小功率电机驱动。 4. 保护电路 ZXMN3A01FTA还可以用于过流保护、短路保护等电路中。通过检测电流大小并控制MOSFET的导通与关断，可以有效地保护系统免受过载或短路损坏。它广泛应用于电源适配器、充电器、电源模块等产品中。 5. 信号调理 在一些信号调理电路中，ZXMN3A01FTA可以用作模拟开关或电平转换器。它可以在不同的电压等级之间进行信号传递，同时保持较低的信号失真，适用于通信设备、传感器接口等场合。 总之，ZXMN3A01FTA凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域，特别是在需要高效功率转换和精确电流控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3MOSFET 30V N-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN3A01FTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN3A01FTA |
| Pd-PowerDissipation | 625 mW |
| Pd-功率耗散 | 625 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 2.3 ns |
| 下降时间 | 2.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 190pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | ZXMN3A01FCT |
| 典型关闭延迟时间 | 6.6 ns |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.8A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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