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Datasheet下载- 型号： ZXMN2B01FTA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN2B01FTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN2B01FTA价格参考￥1.27-￥3.84。Diodes Inc.ZXMN2B01FTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 2.1A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载ZXMN2B01FTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN2B01FTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN2B01FTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：ZXMN2B01FTA 的低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力使其非常适合用于开关电源中的功率开关。 - DC-DC 转换器：可用于降压或升压转换器中，作为主开关或同步整流器，提高效率并减少功耗。 - 负载开关：在需要快速开启/关闭负载的应用中，该器件可以提供低损耗的切换功能。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于驱动小型风扇、泵或其他低功率直流电机，能够承受较高的电流波动。 - H 桥电路：在 H 桥设计中用作功率级元件，实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 保护电路 - 过流保护：利用其低导通电阻特性，可检测异常电流并在过载时切断电路。 - 短路保护：通过快速响应短路情况，防止系统损坏。 4. 消费类电子产品 - 便携式设备：如智能手机充电器、平板电脑适配器等，需要高效能和小体积的功率开关。 - 音频放大器：在 D 类音频放大器中，作为输出级开关，提供高效的信号传输。 5. 汽车电子 - 车载电子设备：如 LED 照明、信息娱乐系统等，需要可靠的功率开关。 - 电池管理系统 (BMS)：用于电池充放电路径的控制，确保安全和高效运行。 6. 工业应用 - 传感器接口：为各种传感器提供电源开关功能，同时减少能量损失。 - 继电器替代：在需要频繁开关的应用中，可以用 ZXMN2B01FTA 替代机械继电器，提高可靠性和寿命。 总结 ZXMN2B01FTA 的典型应用场景包括电源管理、电机驱动、保护电路、消费类电子产品、汽车电子以及工业应用等领域。其出色的电气性能和紧凑封装（SOT-23）使其成为众多低功率、高效率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.4 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN2B01FTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN2B01FTA |
| Pd-PowerDissipation | 806 mW |
| Pd-功率耗散 | 806 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms at 4.5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 3.6 ns |
| 下降时间 | 3.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 370pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | ZXMN2B01FDKR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 17.8 ns |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 100 mOhms at 4.5 V |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 2.4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.1A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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