Datasheet下载- 型号： ZXMN10B08E6TA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN10B08E6TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN10B08E6TA价格参考。Diodes Inc.ZXMN10B08E6TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMN10B08E6TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN10B08E6TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6MOSFET 100V N-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.9 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN10B08E6TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN10B08E6TA |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 230 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 230 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 2.1 ns |
| 下降时间 | 2.1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 497pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 230 毫欧 @ 1.6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
| 其它名称 | ZXMN10B08E6TR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 12.1 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SOT-23-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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