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Datasheet下载- 型号： ZXMN10A25GTA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN10A25GTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN10A25GTA价格参考。Diodes Inc.ZXMN10A25GTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 2.9A（Ta） 2W（Ta） SOT-223。您可以下载ZXMN10A25GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN10A25GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXMN10A25GTA是一款单通道MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），其应用场景广泛，特别是在需要高效、低功耗和高可靠性的电路设计中。以下是该型号的一些主要应用场景： 1. 电源管理 ZXMN10A25GTA常用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、线性稳压器等。它能够提供高效的开关性能，降低能耗，适用于便携式设备、消费电子、工业控制系统等领域的电源管理模块。 2. 负载开关 在许多电子产品中，负载开关用于控制电源的通断。ZXMN10A25GTA可以作为负载开关的核心元件，确保在不同工作状态下，电源能够快速响应并保持稳定输出。它适用于USB充电器、电池管理系统等场景。 3. 电机驱动 该MOSFET可用于小型电机驱动电路中，如步进电机、直流电机等。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够有效减少发热，提高电机驱动效率，特别适合智能家居、机器人、电动工具等应用。 4. 保护电路 ZXMN10A25GTA也可用于过流保护、短路保护等电路中。通过检测电流异常情况，迅速切断电源路径，防止损坏其他电路元件。这在汽车电子、工业自动化等领域尤为重要。 5. 信号切换 在通信设备、音频处理等需要频繁切换信号路径的场合，ZXMN10A25GTA可以实现高速、低损耗的信号切换功能，确保信号传输的稳定性和完整性。 6. 太阳能逆变器 在光伏系统中，MOSFET是逆变器的关键组件之一。ZXMN10A25GTA可以用于逆变器中的功率级，帮助将直流电转换为交流电，提高能量转换效率，降低系统损耗。 总结 ZXMN10A25GTA凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、负载开关、电机驱动、保护电路、信号切换以及太阳能逆变器等多个领域。它特别适合对效率、功耗和稳定性有较高要求的应用场景，能够在保证性能的同时，简化设计并降低成本。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223MOSFET 100V N-Channel 2.9A MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN10A25GTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN10A25GTA |
| Pd-PowerDissipation | 3.9 W |
| Pd-功率耗散 | 3.9 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 125 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 125 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 3.7 ns |
| 下降时间 | 9.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 859pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 2.9A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZXMN10A25G |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.9A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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