ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > ZXMN10A07ZTA
Datasheet下载- 型号： ZXMN10A07ZTA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN10A07ZTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN10A07ZTA价格参考￥2.97-￥2.97。Diodes Inc.ZXMN10A07ZTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 1A（Ta） SOT-89-3。您可以下载ZXMN10A07ZTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN10A07ZTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN10A07ZTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括： 1. 电源管理： ZXMN10A07ZTA 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于高效能的电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理电路。它能够有效降低功率损耗，提高系统效率。 2. 电机驱动： 该器件适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，尤其是在需要低功耗和高效率的应用中。它的低 Rds(on) 和快速开关能力有助于减少热量生成并优化电机性能。 3. 消费电子产品： 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中，ZXMN10A07ZTA 可用作负载开关或保护电路的一部分，以实现高效的电源分配和过流保护。 4. 信号切换： 它可以用于音频信号切换、数据线路切换等场景，提供可靠的信号传输路径，同时保持低插入损耗和高隔离度。 5. 工业控制： 在工业自动化领域，ZXMN10A07ZTA 可用于传感器接口、继电器驱动和信号调理电路中，确保稳定性和耐用性。 6. 汽车电子： 尽管 ZXMN10A07ZTA 不是专门针对汽车级设计，但在某些非关键车载应用（如照明控制、风扇控制或辅助电路）中，它也可以发挥作用。 总之，ZXMN10A07ZTA 凭借其出色的电气特性和紧凑封装（SOT23-3L），成为多种低功率、高效率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89MOSFET 100V N-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.4 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN10A07ZTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN10A07ZTA |
| PCN其它 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.6 W |
| Pd-功率耗散 | 2.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 900 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 900 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 1.5 ns |
| 下降时间 | 2.1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 138pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 700 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | ZXMN10A07ZTR |
| 典型关闭延迟时间 | 4.1 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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