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  • 型号: ZXMHN6A07T8TA
  • 制造商: Diodes Inc.
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ZXMHN6A07T8TA产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMHN6A07T8TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMHN6A07T8TA价格参考。Diodes Inc.ZXMHN6A07T8TA封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 4 个 N 通道(H 桥) Mosfet 阵列 60V 1.4A 1.6W 表面贴装 SM8。您可以下载ZXMHN6A07T8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMHN6A07T8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SOT223-8MOSFET 60V 1.6A N-Channel MOSFET H-Bridge

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

4 个 N 通道(H 桥)

Id-ContinuousDrainCurrent

1.6 A

Id-连续漏极电流

1.6 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMHN6A07T8TA-

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产品型号

ZXMHN6A07T8TA

Pd-PowerDissipation

1600 mW

Pd-功率耗散

1.6 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

300 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

300 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

1.4 ns

下降时间

1.4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

166pF @ 40V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

3.2nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

300 毫欧 @ 1.8A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SM8

其它名称

ZXMHN6A07T8DKR

典型关闭延迟时间

4.9 ns

功率-最大值

1.6W

包装

Digi-Reel®

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-223-8

封装/箱体

SM-8

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.4A

通道模式

Enhancement

配置

Half-Bridge

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