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ZXMHN6A07T8TA产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMHN6A07T8TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMHN6A07T8TA价格参考。Diodes Inc.ZXMHN6A07T8TA封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 4 个 N 通道(H 桥) Mosfet 阵列 60V 1.4A 1.6W 表面贴装 SM8。您可以下载ZXMHN6A07T8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMHN6A07T8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SOT223-8MOSFET 60V 1.6A N-Channel MOSFET H-Bridge |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 4 个 N 通道(H 桥) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.6 A |
Id-连续漏极电流 | 1.6 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMHN6A07T8TA- |
数据手册 | |
产品型号 | ZXMHN6A07T8TA |
Pd-PowerDissipation | 1600 mW |
Pd-功率耗散 | 1.6 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 300 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 1.4 ns |
下降时间 | 1.4 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 166pF @ 40V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.2nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 300 毫欧 @ 1.8A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SM8 |
其它名称 | ZXMHN6A07T8DKR |
典型关闭延迟时间 | 4.9 ns |
功率-最大值 | 1.6W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-223-8 |
封装/箱体 | SM-8 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.4A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Half-Bridge |