Datasheet下载- 型号： ZXMHC6A07T8TA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMHC6A07T8TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMHC6A07T8TA价格参考。Diodes Inc.ZXMHC6A07T8TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMHC6A07T8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMHC6A07T8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8MOSFET 60V UMOS H-Bridge |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） |
| Id-连续漏极电流 | 1.8 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMHC6A07T8TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMHC6A07T8TA |
| Pd-PowerDissipation | 1.7 W |
| Pd-功率耗散 | 1.7 W |
| Qg-GateCharge | 3.2 nC, 5.1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 3.2 nC, 5.1 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 300 mOhms, 425 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 上升时间 | 1.4 ns, 2.3 ns |
| 下降时间 | 2 ns, 5.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 166pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 300 毫欧 @ 1.8A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SM8 |
| 其它名称 | ZXMHC6A07T8TR |
| 典型关闭延迟时间 | 4.9 ns, 13 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 300 mOhms at N Channel, 425 mOhms at P Channel |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-223-8 |
| 封装/箱体 | SM-8 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 2.3 S, 1.8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 1.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A，1.3A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Half-Bridge |
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