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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMHC3A01N8TC由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMHC3A01N8TC价格参考。Diodes Inc.ZXMHC3A01N8TC封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥) Mosfet 阵列 30V 2.17A,1.64A 870mW 表面贴装 8-SOP。您可以下载ZXMHC3A01N8TC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMHC3A01N8TC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOICMOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥) |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.06 A, 2.72 A |
Id-连续漏极电流 | 2.72 A, 2.06 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMHC3A01N8TC- |
数据手册 | |
产品型号 | ZXMHC3A01N8TC |
Pd-PowerDissipation | 10.9 mW |
Pd-功率耗散 | 10.9 mW |
RdsOn-漏源导通电阻 | 0.18 Ohms, 0.33 Ohms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V, 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 2.3 ns |
下降时间 | 2.9 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 190pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.9nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 125 毫欧 @ 2.5A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOP |
其它名称 | ZXMHC3A01N8DICT |
功率-最大值 | 870mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.17A,1.64A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Half-Bridge |