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  • 型号: ZXMHC3A01N8TC
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMHC3A01N8TC由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMHC3A01N8TC价格参考。Diodes Inc.ZXMHC3A01N8TC封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥) Mosfet 阵列 30V 2.17A,1.64A 870mW 表面贴装 8-SOP。您可以下载ZXMHC3A01N8TC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMHC3A01N8TC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOICMOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥)

Id-ContinuousDrainCurrent

- 2.06 A, 2.72 A

Id-连续漏极电流

2.72 A, 2.06 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMHC3A01N8TC-

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产品型号

ZXMHC3A01N8TC

Pd-PowerDissipation

10.9 mW

Pd-功率耗散

10.9 mW

RdsOn-漏源导通电阻

0.18 Ohms, 0.33 Ohms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V, 30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

2.3 ns

下降时间

2.9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

190pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

3.9nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

125 毫欧 @ 2.5A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOP

其它名称

ZXMHC3A01N8DICT

功率-最大值

870mW

包装

剪切带 (CT)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.17A,1.64A

通道模式

Enhancement

配置

Half-Bridge

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