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  • 型号: ZXMD63P02XTA
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMD63P02XTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMD63P02XTA价格参考。Diodes Inc.ZXMD63P02XTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZXMD63P02XTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMD63P02XTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOPMOSFET 2P-CH 20V 8-MSOPMOSFET Dual 20V P Chl HDMOS

产品分类

FET - 阵列FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)2 个 P 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

- 1.7 A

Id-连续漏极电流

- 1.7 A

品牌

Diodes IncorporatedDiodes/Zetex

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMD63P02XTA--

数据手册

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产品型号

ZXMD63P02XTAZXMD63P02XTA

Pd-PowerDissipation

0.87 W

Pd-功率耗散

870 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

270 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

270 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

9.6 ns

下降时间

9.6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

700mV @ 250µA (最小)700mV @ 250µA (最小)

不同Vds时的输入电容(Ciss)

290pF @ 15V290pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5.25nC @ 4.5V5.25nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

270 毫欧 @ 1.2A,4.5V270 毫欧 @ 1.2A,4.5V

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产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-MSOP8-MSOP

其它名称

ZXMD63P02XTR
ZXMD63P02XTR-ND

典型关闭延迟时间

16.4 ns

功率-最大值

1.04W1.04W

包装

带卷 (TR)带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

270 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)

封装/箱体

MSOP-8

工厂包装数量

1000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,0001,000

汲极/源极击穿电压

- 20 V

漏极连续电流

- 1.7 A

漏源极电压(Vdss)

20V20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

--

通道模式

Enhancement

配置

Dual Dual Drain

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