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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMD63P02XTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMD63P02XTA价格参考。Diodes Inc.ZXMD63P02XTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZXMD63P02XTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMD63P02XTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOPMOSFET 2P-CH 20V 8-MSOPMOSFET Dual 20V P Chl HDMOS |
产品分类 | FET - 阵列FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双)2 个 P 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 1.7 A |
Id-连续漏极电流 | - 1.7 A |
品牌 | Diodes IncorporatedDiodes/Zetex |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMD63P02XTA-- |
数据手册 | |
产品型号 | ZXMD63P02XTAZXMD63P02XTA |
Pd-PowerDissipation | 0.87 W |
Pd-功率耗散 | 870 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 270 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 270 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 9.6 ns |
下降时间 | 9.6 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA (最小)700mV @ 250µA (最小) |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 290pF @ 15V290pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.25nC @ 4.5V5.25nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 270 毫欧 @ 1.2A,4.5V270 毫欧 @ 1.2A,4.5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-MSOP8-MSOP |
其它名称 | ZXMD63P02XTR |
典型关闭延迟时间 | 16.4 ns |
功率-最大值 | 1.04W1.04W |
包装 | 带卷 (TR)带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 270 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
封装/箱体 | MSOP-8 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,0001,000 |
汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
漏极连续电流 | - 1.7 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | -- |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual Dual Drain |