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Datasheet下载- 型号： ZXMD63N03XTA
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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ZXMD63N03XTA产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMD63N03XTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMD63N03XTA价格参考。Diodes Inc.ZXMD63N03XTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 2.3A 1.04W 表面贴装 8-MSOP。您可以下载ZXMD63N03XTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMD63N03XTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOPMOSFET Dual 30V N Chl HDMOS |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.3 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMD63N03XTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMD63N03XTA |
| Pd-PowerDissipation | 0.87 W |
| Pd-功率耗散 | 870 mW |
| Qg-GateCharge | 8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 135 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 135 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 上升时间 | 4.1 ns |
| 下降时间 | 4.1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 290pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 135 毫欧 @ 1.7A，10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-MSOP |
| 其它名称 | ZXMD63N03XTR |
| 典型关闭延迟时间 | 9.6 ns |
| 功率-最大值 | 1.04W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 135 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 封装/箱体 | MSOP-8 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 1.9 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 2.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.3A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
