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ZXMC3AMCTA产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMC3AMCTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMC3AMCTA价格参考。Diodes Inc.ZXMC3AMCTA封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 2.9A,2.1A 1.7W 表面贴装 8-DFN(3x2)。您可以下载ZXMC3AMCTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMC3AMCTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | ZXMC3AMCTA |
PCN其它 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 190pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.9nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 120 毫欧 @ 2.5A,10V |
供应商器件封装 | 8-DFN(3x2) |
其它名称 | ZXMC3AMCTACT |
功率-最大值 | 1.7W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.9A,2.1A |