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ZXMC10A816N8TC产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMC10A816N8TC由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMC10A816N8TC价格参考¥5.55-¥6.72。Diodes Inc.ZXMC10A816N8TC封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array N and P-Channel 100V 2A 1.8W Surface Mount 8-SOP。您可以下载ZXMC10A816N8TC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMC10A816N8TC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOICMOSFET 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.1 A |
Id-连续漏极电流 | 2.1 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMC10A816N8TC- |
数据手册 | |
产品型号 | ZXMC10A816N8TC |
Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
Pd-功率耗散 | 2.1 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 230 mOhms at N Channel, 235 mOhms at P Channel |
RdsOn-漏源导通电阻 | 230 mOhms, 235 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 2.1 ns, 5.2 ns |
下降时间 | 5 ns, 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 497pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.2nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 230 毫欧 @ 1A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOP |
其它名称 | ZXMC10A816N8DICT |
典型关闭延迟时间 | 12.1 ns, 20 ns |
功率-最大值 | 1.8W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 230 mOhms at N Channel, 235 mOhms at P Channel |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 2.1 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Complementary |