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  • 型号: ZXMC10A816N8TC
  • 制造商: Diodes Inc.
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ZXMC10A816N8TC产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMC10A816N8TC由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMC10A816N8TC价格参考¥5.55-¥6.72。Diodes Inc.ZXMC10A816N8TC封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array N and P-Channel 100V 2A 1.8W Surface Mount 8-SOP。您可以下载ZXMC10A816N8TC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMC10A816N8TC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOICMOSFET 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

2.1 A

Id-连续漏极电流

2.1 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMC10A816N8TC-

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产品型号

ZXMC10A816N8TC

Pd-PowerDissipation

2.1 W

Pd-功率耗散

2.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

230 mOhms at N Channel, 235 mOhms at P Channel

RdsOn-漏源导通电阻

230 mOhms, 235 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

2.1 ns, 5.2 ns

下降时间

5 ns, 12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

497pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

9.2nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

230 毫欧 @ 1A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOP

其它名称

ZXMC10A816N8DICT

典型关闭延迟时间

12.1 ns, 20 ns

功率-最大值

1.8W

包装

剪切带 (CT)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

230 mOhms at N Channel, 235 mOhms at P Channel

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

2.1 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2A

通道模式

Enhancement

配置

Complementary

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