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  • 型号: ZXM64P02XTA
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXM64P02XTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXM64P02XTA价格参考。Diodes Inc.ZXM64P02XTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZXM64P02XTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXM64P02XTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOPMOSFET 20V P-Chnl HDMOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 3.5 A

Id-连续漏极电流

- 3.5 A

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXM64P02XTA-

数据手册

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产品型号

ZXM64P02XTA

Pd-PowerDissipation

1.1 W

Pd-功率耗散

1.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

130 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

130 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

12.3 ns

下降时间

12.3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

700mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

900pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6.9nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

90 毫欧 @ 2.4A,4.5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-MSOP

其它名称

ZXM64P02X
ZXM64P02XCT

典型关闭延迟时间

45.5 ns

功率-最大值

1.1W

包装

剪切带 (CT)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

130 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)

封装/箱体

MSOP-8

工厂包装数量

1000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

- 20 V

漏极连续电流

- 3.5 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.5A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

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