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  • 型号: ZXM62P02E6TA
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXM62P02E6TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXM62P02E6TA价格参考。Diodes Inc.ZXM62P02E6TA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZXM62P02E6TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXM62P02E6TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6MOSFET 20V P-Chnl HDMOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 2.3 A

Id-连续漏极电流

- 2.3 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXM62P02E6TA-

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产品型号

ZXM62P02E6TA

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

1.1 W

Pd-功率耗散

1.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

375 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

375 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

15.4 ns

下降时间

15.4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

700mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

320pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5.8nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

200 毫欧 @ 1.6A,4.5V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23-6

其它名称

ZXM62P02E6DKR

其它图纸

典型关闭延迟时间

12 ns

功率-最大值

1.1W

包装

Digi-Reel®

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-23-6

封装/箱体

SOT-23-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.3A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain

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