ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > ZXM61P03FTA
Datasheet下载- 型号： ZXM61P03FTA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXM61P03FTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXM61P03FTA价格参考。Diodes Inc.ZXM61P03FTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 1.1A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载ZXM61P03FTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXM61P03FTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXM61P03FTA是一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于需要高效功率开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 ZXM61P03FTA常用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、线性稳压器等。它能够提供高效的功率传输，降低能量损耗，适用于便携式设备（如手机、平板电脑）、笔记本电脑、以及工业设备中的电源模块。 2. 电机驱动 在电机控制应用中，ZXM61P03FTA可以作为功率开关，用于控制电机的启动、停止和速度调节。它适合小型直流电机、步进电机等，广泛应用于智能家居、家电、电动工具等领域。 3. 电池保护电路 该MOSFET可用于电池保护电路中，防止过充、过放、短路等问题。它能够快速响应并切断电流路径，确保电池的安全性和延长使用寿命。常见于锂电池、镍氢电池等可充电电池组中。 4. 负载开关 ZXM61P03FTA可以用作负载开关，控制电源与负载之间的连接。它具有低导通电阻（Rds(on)），能够在高电流下保持较低的功耗，适用于消费电子、通信设备等需要频繁切换电源的应用。 5. 信号调理 在一些信号调理电路中，ZXM61P03FTA可以用于信号隔离或电平转换。例如，在模拟信号处理、传感器接口等场景中，它可以作为开关元件，确保信号的准确传输。 6. 汽车电子 在汽车电子领域，ZXM61P03FTA可用于车身控制系统、车灯控制、风扇控制等。它具备良好的温度特性和抗干扰能力，能够在严苛的车载环境中稳定工作。 总结 ZXM61P03FTA凭借其低导通电阻、快速开关特性以及较高的耐压能力，广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护、负载开关、信号调理及汽车电子等多个领域。它的高性能和可靠性使其成为众多设计工程师的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3MOSFET 30V P-Chnl HDMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 1.1 A |
| Id-连续漏极电流 | - 1.1 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXM61P03FTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXM61P03FTA |
| Pd-PowerDissipation | 625 mW |
| Pd-功率耗散 | 625 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 550 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 550 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 2.9 ns |
| 下降时间 | 2.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 140pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 350 毫欧 @ 600mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | ZXM61P03F |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 8.9 ns |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.1A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/FP-301 1 1／2" WT 100'.jpg)
