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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXM61P02FTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXM61P02FTA价格参考¥0.70-¥0.70。Diodes Inc.ZXM61P02FTA封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 900mA(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3。您可以下载ZXM61P02FTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXM61P02FTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3MOSFET 20V P-Chnl HDMOS |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 900 mA |
Id-连续漏极电流 | - 900 mA |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXM61P02FTA- |
数据手册 | |
产品型号 | ZXM61P02FTA |
Pd-PowerDissipation | 625 mW |
Pd-功率耗散 | 625 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 900 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 900 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 6.7 ns |
下降时间 | 6.7 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 610mA,4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
其它名称 | ZXM61P02FTR |
其它图纸 | |
典型关闭延迟时间 | 11.2 ns |
功率-最大值 | 625mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 900mA (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |