ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > ZX5T851GTA
Datasheet下载- 型号： ZX5T851GTA
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZX5T851GTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZX5T851GTA价格参考。Diodes Inc.ZX5T851GTA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 60V 6A 130MHz 3W 表面贴装 SOT-223。您可以下载ZX5T851GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZX5T851GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZX5T851GTA是一款NPN型双极晶体管（BJT），广泛应用于多种电子电路中，特别是在低电压、小信号放大和开关应用中表现优异。以下是该型号晶体管的一些典型应用场景： 1. 低噪声放大器 ZX5T851GTA具有较低的噪声系数，适合用于低噪声放大器电路。它可以在音频设备、无线通信系统等需要高保真信号放大的场合中发挥作用，确保信号在传输过程中不失真且噪声最小化。 2. 开关电路 由于其快速的开关速度和低饱和电压，ZX5T851GTA常用于各种开关电路中。例如，在电源管理模块中，它可以作为控制开关，用于调节电流或电压输出，确保电路在不同负载条件下稳定工作。 3. 脉宽调制（PWM）控制器 在PWM控制电路中，ZX5T851GTA可以用于驱动LED灯、电机或其他负载。通过调节占空比，它可以实现对负载功率的精确控制，适用于节能灯具、风扇调速等应用场景。 4. 保护电路 该晶体管还可以用于过流保护和短路保护电路中。当检测到异常电流时，ZX5T851GTA可以迅速切断电路，防止损坏其他元件，确保系统的安全性。 5. 线性稳压器 在一些简单的线性稳压器设计中，ZX5T851GTA可以用作调整管，帮助维持输出电压的稳定性。它能够在输入电压波动的情况下，保持输出电压的恒定，适用于小型便携式设备的电源管理。 6. 传感器接口 该晶体管也适用于传感器接口电路，特别是那些需要将微弱信号放大的场合。例如，在温度传感器、压力传感器等应用中，ZX5T851GTA可以将传感器输出的微弱信号进行放大，以便后续处理。 总结 ZX5T851GTA凭借其低功耗、快速响应和良好的线性特性，成为许多电子设备中的关键组件。无论是用于信号放大、开关控制还是保护功能，它都能提供可靠的性能，满足多种应用场景的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 60V 6000MA SOT223两极晶体管 - BJT NPN 60V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZX5T851GTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZX5T851GTA |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 260mV @ 300mA，6A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 2A，1V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZX5T851GTR |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 130 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 3000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 100 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 at 10 mA at 1 V, 100 at 2 A at 1 V, 55 at 5 A at 1 V, 20 at 10 A at 1 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 150 V |
| 集电极连续电流 | 6 A |
| 频率-跃迁 | 130MHz |
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