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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVP4424A由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVP4424A价格参考。Diodes Inc.ZVP4424A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZVP4424A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZVP4424A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 240V 200MA TO92-3MOSFET P-Chnl 240V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 200 mA |
Id-连续漏极电流 | - 200 mA |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVP4424A- |
数据手册 | |
产品型号 | ZVP4424A |
Pd-PowerDissipation | 750 mW |
Pd-功率耗散 | 750 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 9 Ohms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 240 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 240 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 40 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 40 V |
上升时间 | 8 ns |
下降时间 | 8 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 200pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 欧姆 @ 200mA,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
其它图纸 | |
典型关闭延迟时间 | 26 ns |
功率-最大值 | 750mW |
包装 | 散装 |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
封装/箱体 | TO-92-3 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 4,000 |
漏源极电压(Vdss) | 240V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 200mA (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |