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  • 型号: ZVP3310A
  • 制造商: Diodes Inc.
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ZVP3310A产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZVP3310A由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVP3310A价格参考。Diodes Inc.ZVP3310A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 100V 140mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3。您可以下载ZVP3310A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZVP3310A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ZVP3310A是由Diodes Incorporated生产的单通道P沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。这种MOSFET具有低导通电阻、快速开关速度和出色的电流处理能力,适用于多种电力电子应用场景。

 主要应用场景:

1. 电源管理:
   - ZVP3310A广泛应用于各种电源管理系统中,如直流-直流转换器(DC-DC converters)、线性稳压器(LDO)等。它可以在这些应用中作为开关或负载控制元件,实现高效的能量转换和稳定的电压输出。
   
2. 电池管理系统(BMS):
   - 在电池管理系统中,ZVP3310A可以用于电池充放电控制、保护电路以及电池均衡电路。它的低导通电阻有助于减少功耗,延长电池寿命。

3. 电机驱动:
   - 该MOSFET适用于小型电机驱动应用,如步进电机、无刷直流电机(BLDC)等。它可以精确控制电机的启动、停止和调速,确保电机运行平稳且高效。

4. 信号切换:
   - 在需要高频率信号切换的应用中,ZVP3310A的快速开关特性使其成为理想选择。例如,在音频设备、通信设备和数据传输系统中,它可以用于信号路径的开关控制,确保信号的完整性和稳定性。

5. 消费电子产品:
   - ZVP3310A在消费电子产品中也有广泛应用,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能家居设备等。它可用于电源开关、背光驱动、充电电路等场景,提供可靠的电源管理和保护功能。

6. 工业自动化:
   - 在工业自动化领域,ZVP3310A可用于可编程逻辑控制器(PLC)、传感器接口、继电器驱动等场合。其稳定性和可靠性能够满足工业环境中的严苛要求。

7. 汽车电子:
   - 汽车电子系统中,ZVP3310A可用于车身控制模块(BCM)、照明系统、电动座椅、车窗升降器等。它能够在高温、振动等恶劣环境下保持稳定工作,确保车辆的安全性和舒适性。

总之,ZVP3310A凭借其优异的性能和可靠性,适用于广泛的电力电子应用,特别是在需要高效、可靠电源管理和信号切换的场合中表现尤为突出。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 100V 140MA TO92-3MOSFET P-Chnl 100V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 140 mA

Id-连续漏极电流

- 140 mA

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVP3310A-

数据手册

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产品型号

ZVP3310A

Pd-PowerDissipation

625 mW

Pd-功率耗散

625 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

20 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

20 Ohms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 100 V

Vds-漏源极击穿电压

- 100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

8 ns

下降时间

8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

50pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

20 欧姆 @ 150mA,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-92-3

其它图纸

典型关闭延迟时间

8 ns

功率-最大值

625mW

包装

散装

商标

Diodes Incorporated

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3 标准主体

封装/箱体

TO-92-3

工厂包装数量

4000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

4,000

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

140mA (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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