【晶体管 - FET，MOSFET - 单_ZVP3310A】封装/厂家_ZVP3310A中文资料_价格

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型号： ZVP3310A
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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ZVP3310A产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供ZVP3310A由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVP3310A价格参考。Diodes Inc.ZVP3310A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 P 沟道 100V 140mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3。您可以下载ZVP3310A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVP3310A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET P-CH 100V 140MA TO92-3MOSFET P-Chnl 100V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	- 140 mA
Id-连续漏极电流	- 140 mA
品牌	Diodes Incorporated
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVP3310A-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	ZVP3310A
Pd-PowerDissipation	625 mW
Pd-功率耗散	625 mW
RdsOn-Drain-SourceResistance	20 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	20 Ohms
RoHS指令信息	http://diodes.com/download/4349
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 100 V
Vds-漏源极击穿电压	- 100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	8 ns
下降时间	8 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	50pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	-
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	20 欧姆 @ 150mA，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-92-3
其它图纸
典型关闭延迟时间	8 ns
功率-最大值	625mW
包装	散装
商标	Diodes Incorporated
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Bulk
封装/外壳	TO-226-3、TO-92-3 标准主体
封装/箱体	TO-92-3
工厂包装数量	4000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	4,000
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	140mA （Ta）
通道模式	Enhancement
配置	Single

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