Datasheet下载- 型号： ZVP2106A
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVP2106A由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVP2106A价格参考。Diodes Inc.ZVP2106A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVP2106A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVP2106A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVP2106A 是由 Diodes Incorporated 生产的一款增强型 P 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该型号属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别的产品，广泛应用于多种电子电路中。以下是 ZVP2106A 的主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：ZVP2106A 可用于控制电路中的负载通断，适用于需要低导通电阻和快速开关的应用。 - 电压调节器：在 DC-DC 转换器或线性稳压器中，作为开关元件或同步整流器使用，提高效率并减少功率损耗。 - 电池保护：用于电池管理系统中，防止过充、过放或短路，确保电池安全。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，ZVP2106A 可用作开关器件，控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 信号切换 - 用于音频、视频或其他信号路径的切换，提供低噪声和高可靠性的信号传输。 4. 消费电子产品 - 应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备的电源管理模块中。 - 在 USB 充电接口中作为保护开关，防止电流反向流动或过载。 5. 汽车电子 - 用于车载电子设备中，如车灯控制、座椅加热器、电动窗等应用中的电源开关。 - 在汽车电池管理系统中，作为电池保护和能量分配的关键元件。 6. 工业控制 - 在工业自动化设备中，作为传感器信号的开关或控制继电器的驱动元件。 - 用于 PLC（可编程逻辑控制器）的输入/输出模块中，实现信号隔离和放大。 7. 照明系统 - 在 LED 照明电路中，作为恒流源的一部分，控制 LED 的亮度和工作状态。 特性总结 ZVP2106A 具有低漏极-源极导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热稳定性，适合要求高效能、低功耗的应用场景。其工作电压范围较宽（-20V 至 -50V），能够适应多种电压环境，同时具备良好的静电防护能力，确保在复杂电路中的可靠性。 总之，ZVP2106A 是一款性能优越的 P 沟道 MOSFET，适用于各种需要精确控制电流和电压的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3MOSFET P-Chnl 60V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 280 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 280 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVP2106A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVP2106A |
| Pd-PowerDissipation | 700 mW |
| Pd-功率耗散 | 700 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 100pF @ 18V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 280mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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